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聯訊儀器雙通道SMU-S3022F在晶體管測試中的應用

聯訊儀器 ? 2022-11-08 14:42 ? 次閱讀

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概述:

聯訊儀器 S3022F 精密電源/測量單元是結構緊湊、經濟高效的雙通道臺式電源/測量單元(SMU),能夠同時輸出并測量電壓和電流。這些功能使得 S3022F成為既需要高分辨率,又需要高精度的各種IV(電流與電壓)測量任務的理想選擇。S3022F擁有廣泛的電壓(±200 V)和電流(± 3A 直流和 ±10A 脈沖)電源功能、出色的精度,6位半的顯示(最低 100fA/100nV 顯示分辨率)以及卓越的彩色 LCD 圖形用戶界面(GUI)。此外,它具有多種基于任務的顯示模式,顯著提高了測試、調試和表征的效率。這些特性使S3022F SMU成為非常優秀的解決方案,尤其是雙通道輸出,使得能夠方便精確地表征各類二端口,三端口器件,比如雙極晶體管等。

利用SMU表征MOSFET特性

SMU 在單個儀表內集成了電流源、電壓源、電流表和電壓表,可以通過液晶屏或者上位機軟件在各功能之間輕松轉換。區別于傳統的直流電源,SMU可以在四個象限獨立完成IV測試。SMU還具有各種保護措施,如電壓、電流的鉗位,可以限定輸出以確保不會對待測器件造成損傷,S3022F SMU還支持±10 A的脈沖輸出,脈沖輸出可以防止待測件過熱而導致器件損傷或者測試結果異常,是測試中對熱效應敏感場景的理想選擇。

晶體管的特性表征主要有以下幾個參數需要:

  • MOSFET輸出特性曲線

MOSFET輸出特性曲線描述當柵-源電壓VGS為常量時,漏極電流ID與漏-源電壓VDS之間的關系

測試步驟:

1. 設定柵極步進電壓VGS

  1. 2. 在每個VGS步進電壓下,VDS按照設定的范圍進行電壓掃描
  2. 3. 記錄每個VDS電壓掃描點下的漏極-源極電流

VTH是在 VDS為一常量時,漏-源電流大于零所需的最小VGS值

測試步驟:

  1. 1. 設定漏-源電壓VDS為特定值

2. 在一定范圍內掃描VGS,記錄掃描過程中的每個點的漏極電流ID

3. 通過線性擬合計算VTH值

  • 低頻跨導gm

gm 數值的大小表示 VGS對ID控制作用的強弱

當MOSFET工作在恒流區且VDS為常量的條件下,ID的微小變化量Delta ID與引起它變化的Delta VGS之比,稱為低頻跨導。

即:

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S3022F 雙通道,支持同步觸發,單臺儀表即可方便快捷地完成三端口器件表征

poYBAGNp6iuATBRvAAbZCezJY4o608.pngS3022F?單臺儀表即可完成三端口器件表征

輕松快捷的IV表征

S3022F支持液晶屏和上位機軟件操作,支持用戶通過前面板或者GUI輕松操控。

pYYBAGNp6mCADVnJAAPFWSR4Dzw573.pngS3022F?液晶屏界面

在液晶屏操作界面上可以直接進行SMU模式的選擇,如電壓源輸出,電流源輸出,電壓測量,電流測量,還可以設置輸出幅度及保護限制,通過右側快捷按鈕輕松進入配置,掃描,高級,觸發,系統等功能項。

pYYBAGNp6ueAXWqNAASqj26KLG0511.pngS3022F液晶屏掃描設置界面

掃描參數可設置電壓或電流掃描,設置掃描條件,掃描模式還可以支持線性掃描、對數掃描、鏈表掃描等。

除了方便快捷液晶屏操作外,S3022F還支持上位機GUI操作,可通過GUI遠程操作。

poYBAGNp6waAe9hbAAUNKQGH4Mk126.pngS3022F ?GUI掃描設置界面

poYBAGNp6xaAT1VzAAPoEa1iqmY422.pngS3022F?GUI?繪圖界面

總結

聯訊儀器S3022F精密電源/測量單元能夠非常出色地對雙極晶體管及其他各類器件進行 IV 表征,其優異的電流和電壓測量范圍(100 fA/100 nV 至 10 A/200 V)可以保證卓越的測量性能,使您能夠比以往更精確、更輕松地進行器件測試。

聯訊SMU系列包括:

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聯訊儀器SMU具有簡單易用的圖形用戶界面、豐富的功能和特征,有助于輕松快速地進行測量,可通過USB 和 LAN 接口進行遠程控制。

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