大家好，我是【廣州工控傳感★科技】EPB-PW壓力傳感器事業(yè)部，張工。

EPB-PW壓力傳感器應(yīng)用于離心機或?qū)嶒炇以O(shè)備的孔隙水測量。EPB-PW壓力傳感器采用陶瓷或青銅燒結(jié)過濾器，因此適用于黏土或基于砂子的材料。 EPB-PW壓力傳感器的鈦合金外殼提供非常堅固的結(jié)構(gòu)，安裝時不受外夾力的影響。6.4×11.4mm的小尺寸確保EPB-PW兼容。主要包括IP68防護(hù)等級，柔性電纜，以及內(nèi)置PT1000溫度傳感器。

壓力傳感器敏感元件的性能不僅取決于其材料，還與其加工工藝有關(guān)。 采用集成技術(shù)、薄膜技術(shù)、微細(xì)加工技術(shù)、離子注入技術(shù)、靜電密封技術(shù)等，可以生產(chǎn)出質(zhì)地均勻、性能穩(wěn)定、可靠性高、體積小、重量輕、集成敏感組件。 下面簡要介紹薄膜技術(shù)、微細(xì)加工技術(shù)、離子注入技術(shù)。

壓力傳感器EPB-PW的特點：

量程包括1/1.5/3.5/7/15/35/70bar；

測量精度±0.5%；

非重復(fù)性±2.5%FSO；

工作溫度范圍-40~+80℃；

溫度補償范圍0~60℃；

支持EMI保護(hù)功能；

尺寸6.4×11.4mm；

IP68防護(hù)等級。

壓力傳感器EPB-PW的應(yīng)用：孔隙水的測量離心機實驗室

EPB-PW壓力傳感器薄膜技術(shù)：

在一定的基板上，采用真空蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積（CVD）、等離子CVD、外延、電鍍等工藝形成金屬、合金、半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體等材料的薄膜。 薄膜的厚度約為十分之幾微米到幾微米，這種加工技術(shù)稱為薄膜技術(shù)。 薄膜技術(shù)可生產(chǎn)力敏、光敏、磁敏、氣敏、濕敏、輻射敏感、熱敏、化學(xué)敏感、生物敏感等薄膜敏感元件。

真空蒸發(fā)是在真空室的加熱器中加熱待蒸發(fā)材料（源），使其分子或原子獲得足夠的熱能離開源材料，形成蒸汽，沉積在基板上形成薄層 電影。

濺射是將氣體在低真空室中用高壓（高于1000V DC或AC）電離形成等離子體，等離子體的正離子以高能量轟擊由被濺射材料制成的陰極靶表面 制造原子 通過將靶材表面沉積到陽極臺的基板上來形成薄膜。 這種方法形成的薄膜比真空蒸鍍更牢固，可以生產(chǎn)高熔點金屬（合金）薄膜和復(fù)合薄膜。 其化學(xué)成分基本不變，但工藝設(shè)備較復(fù)雜，成膜速度較慢。 其中，直流濺射用于制備金屬（合金）薄膜和半導(dǎo)體薄膜，交流濺射用于制造介電薄膜和金屬薄膜。

不同的薄膜工藝用于不同的敏感元件。 即使是相同的敏感元件，也可以通過不同的薄膜工藝制造，以獲得不同的性能。 因此，應(yīng)根據(jù)不同的要求選擇不同的薄膜工藝。 薄膜技術(shù)的機理仍需進(jìn)一步研究，以更好地指導(dǎo)實踐，提高薄膜敏感元件的穩(wěn)定性和可靠性。 現(xiàn)在預(yù)計會發(fā)現(xiàn)一些新的物理化學(xué)效應(yīng)，促進(jìn)敏感元件的發(fā)展。

外延工藝本質(zhì)上是CVD工藝。 它是以單片硅片等為基礎(chǔ)，利用氫或氟還原含硅的化合物，如硅烷（SiH4）或四氯化硅等，使單晶硅或其他物質(zhì)形成并沉積在硅片上。 襯底形成薄膜，例如通過CVD技術(shù)在藍(lán)寶石上外延生長單晶硅薄膜（SOS）。 如果襯底和外延膜是同一種材料，則稱為同質(zhì)外延； 否則，兩者不是同一種材料，稱為異質(zhì)外延。