作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。

近年來隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的普及，針對(duì)RFID的方案，鐵電存儲(chǔ)器低功耗、高速度和高性能特性與無線接入技術(shù)可以很好地結(jié)合在一起，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于RFID方案中，該存儲(chǔ)器的性能能夠完美的替代MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯），并且價(jià)格也有優(yōu)勢(shì)。

RFID傳感器標(biāo)簽結(jié)構(gòu)

傳統(tǒng)RFID應(yīng)用通常采用EEPROM存儲(chǔ)器，與之相比鐵電存儲(chǔ)器有諸多優(yōu)勢(shì)。例如PB85RS2MC超低功耗特性使得同樣使用普通紐扣電池壽命可以延長2000倍，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)EEPROM需要內(nèi)部升高電壓，所以寫人速度非常慢，而PB85RS2MC在寫和讀方面的性能一樣，同時(shí)速度比前者快六倍，能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的寫入操作，更快地存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，并且沒有“預(yù)備時(shí)間”限制。

PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。

3、PB85RS2MC最低低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

另外鐵電存儲(chǔ)器和EEPROM方案的讀寫距離不同，寫入距離要比讀取短很多，這就限制了一些需要寫人數(shù)據(jù)的應(yīng)用空間范圍，而FRAM的讀寫距離都是一樣，可以很好地解決這一問題。

注：如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)聯(lián)系刪除。