在電子設(shè)備的存儲領(lǐng)域，鐵電隨機存取存儲器（FRAM）其獨特的優(yōu)勢廣泛應(yīng)用于對數(shù)據(jù)的實時性和可靠性要求極高的場景中。本文主要詳細(xì)對比一下兩款熱門的鐵電存儲器芯片——SF24C64和MB85RC64，看看它們在性能、應(yīng)用和成本等方面到底有何差異，幫助大家在實際項目中做出更合適的選擇。

SF24C64是一種FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片，配置為8,192字x8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，SF24C64無需使用數(shù)據(jù)備份電池即可保留數(shù)據(jù)。SF24C64在寫入存儲器(例如閃存或E2PROM)后不需要輪詢序列。

SF24C64功能框圖

MB85RC64是一種FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片，配置為8,192字x8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC64無需使用數(shù)據(jù)備份電池即可保留數(shù)據(jù)。MB85RC64使用的非易失性存儲單元的讀/寫持久性在數(shù)量上顯著優(yōu)于閃存和E2PROM。MB85RC64在寫入存儲器(例如閃存或E2PROM)后不需要一個輪詢序列。

MB85RC64功能框圖

SF24C64和MB85RC64參數(shù)介紹一覽表：

讀寫速度：對于存儲芯片來說，讀寫速度直接影響設(shè)備的運行效率。MB85RC64和SF24C64在讀寫速度方面都是較為出色的，能夠在短時間內(nèi)完成數(shù)據(jù)的寫入操作，在一些對數(shù)據(jù)實時寫入要求較高的場景中具有一定優(yōu)勢。

存儲容量與可靠性：兩款芯片的存儲容量均為64Kb ，能夠滿足大多數(shù)設(shè)備的存儲需求。在可靠性方面，兩款芯片都是采用先進(jìn)的鐵電材料和制造工藝，具備較高的抗干擾能力，在復(fù)雜的電磁環(huán)境下也能穩(wěn)定存儲數(shù)據(jù)。

工作電壓與功耗：MB85RC64是1.8V至3.6V，SF24C64是1.7至5.5V，工作電壓范圍較寬，能夠適應(yīng)不同的電源系統(tǒng)，在一些需要兼容多種電源的設(shè)備中具有更好的適應(yīng)性。

成本與選擇：SF24C64為國產(chǎn)芯片，在價格方面具有一定的優(yōu)勢，尤其是在大規(guī)模采購的情況下，其成本優(yōu)勢更加明顯。MB85RC64價格相對較高，適合對成本不太敏感的應(yīng)用。

綜上所述，SF24C64和MB85RC64各有優(yōu)劣，還需要綜合考慮產(chǎn)品的具體需求、應(yīng)用場景以及預(yù)算等多方面因素。如有需求，國芯思辰可全程提供技術(shù)支持和穩(wěn)定的供貨渠道。

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