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慧能泰半導(dǎo)體推出內(nèi)置超低阻抗N-MOS的PD協(xié)議芯片HUSB381

慧能泰半導(dǎo)體 ? 來源:慧能泰半導(dǎo)體 ? 2023-06-27 10:17 ? 次閱讀

芯品發(fā)布

USB PD Source

HUSB381是慧能泰半導(dǎo)體全新推出的一款高性能、小尺寸的USB PD Source芯片,支持18 W~65 W功率輸出,有利于小型化快充電源設(shè)計(jì)。HUSB381 符合最新Type-C 2.1和USB PD3.1標(biāo)準(zhǔn),支持5 V、9 V、12 V、15 V和20 V FPDO和2個(gè)可編程的APDO。HUSB381具有高集成度,內(nèi)置了超低阻抗的N-MOS,HUSB381采用ESSOP-10L封裝,適用于各類AC-DC電源適配器、車載充電器等應(yīng)用。

HUSB381內(nèi)置超低阻抗的N-MOS,在大電流(比如5 A)工作狀態(tài)下可以降低功率損耗。

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圖1、HUSB381參考設(shè)計(jì)電路

面對(duì)目前市場(chǎng)上18 W~65 W單C口快充的需求,以上設(shè)計(jì)支持自由設(shè)定PD輸出電壓電流,同時(shí)還支持恒壓恒流控制。簡(jiǎn)單的外圍設(shè)計(jì)大大降低了設(shè)計(jì)難度并減少了BOM成本,滿足了高效、小型化的設(shè)計(jì)需求。

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圖2、HUSB381參考設(shè)計(jì)小板

產(chǎn)品特性

符合USB Type-C 2.1和USB PD3.1標(biāo)準(zhǔn)

支持5V、9V、12V、15V和20VFPDO

支持2個(gè)可編程的APDO

低至5 mA的輕載檢測(cè)

集成超低阻抗N-MOSFET

多種電纜補(bǔ)償可選

集成OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP、CCOVP、OTP保護(hù)

ESSOP-10L 封裝

±2 kV HBM ESD

目前,HUSB381已量產(chǎn)出貨,歡迎聯(lián)系慧能泰半導(dǎo)體點(diǎn)擊文末閱讀原文申請(qǐng)樣品。同時(shí),也可聯(lián)系我們了解HUSB381更多信息與參考設(shè)計(jì)。

關(guān)于慧能泰半導(dǎo)體

深圳慧能泰半導(dǎo)體科技有限公司是一家專注于智慧能源控制技術(shù)的公司,主要面向智能快充和數(shù)字能源領(lǐng)域,提供高性能數(shù)模混合芯片產(chǎn)品。公司總部設(shè)立在深圳前海,同時(shí)在上海、浙江杭州、美國(guó)加州設(shè)有研發(fā)中心。慧能泰的核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)來自國(guó)內(nèi)外頂尖半導(dǎo)體公司,擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。公司現(xiàn)已獲多項(xiàng)授權(quán)專利,擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),并于2020年被評(píng)為“高新技術(shù)企業(yè)”。

目前,慧能泰已完成了圍繞USB Type-C生態(tài)鏈的整體產(chǎn)品布局,開發(fā)并量產(chǎn)了多款產(chǎn)品:供電端的多系列PD Source協(xié)議芯片,受電端的高性能PD Sink(PD 誘騙芯片)、Type-C端口控制器(CC Logic),線纜端的USB eMarker(電子標(biāo)簽芯片)。成立以來,慧能泰連續(xù)推出多款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品并廣受市場(chǎng)歡迎。公司芯片出貨量2億顆,標(biāo)桿性客戶有聯(lián)想、小米、三星、HP、貝爾金和努比亞等。同時(shí),慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技術(shù),借助自身的技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢(shì),面向ICT(通信服務(wù)器)、數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能等工業(yè)應(yīng)用,研發(fā)數(shù)字電源控制芯片高壓驅(qū)動(dòng)芯片、電源轉(zhuǎn)換芯片和模塊等產(chǎn)品。

慧能泰半導(dǎo)體肩負(fù)著“芯智慧 芯能源,共建綠色未來”的使命,立志成為業(yè)界領(lǐng)先的智慧能源控制技術(shù)供應(yīng)商。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:內(nèi)置超低阻抗N-MOS的PD協(xié)議芯片HUSB381,解決18W~65W的快充設(shè)計(jì)需求

文章出處:【微信號(hào):慧能泰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):慧能泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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