電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，華羿微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：華羿微電）科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理。



華羿微電本次發(fā)行股票不低于7325.23萬(wàn)股，擬募集11億元資金，用于車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。

華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管等封測(cè)產(chǎn)品。

根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021年及2022年華羿微電銷售規(guī)模位列中國(guó)半導(dǎo)體功率器件企業(yè)第十三名，剔除IDM模式廠商，華羿微電位列前五。

天眼查顯示，成立已六七年之久的華羿微電，去年剛剛完成第一輪融資，交易金額達(dá)數(shù)億人民幣，投資方包括盛宇投資旗下多只基金、欣旺達(dá)、超越摩爾、陜投基金等。華天電子集團(tuán)直接持有華羿微電64.95%的股份，為公司控股股東。

2022年?duì)I收和凈利雙重下滑，超3成來(lái)自SGT MOSFET產(chǎn)品

功率器件主要包括二極管、晶閘管和晶體管，近年來(lái)需求增長(zhǎng)較快的IGBT、MOSFET等屬于晶體管，當(dāng)前正處于下游景氣度高企和國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)鍵時(shí)期。

而深耕功率器件行業(yè)的華羿微電，近三年經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)波動(dòng)增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)的營(yíng)業(yè)收入分別為8.47億元、11.60億元和11.57億元；歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)分別為0.42億元、0.88億元和-0.43億元。2022年華羿微電出現(xiàn)營(yíng)收和凈利雙重下滑的不利情況，，且主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率下滑8.77個(gè)百分點(diǎn)，公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳。


華羿微電最近一年歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)為負(fù)，據(jù)了解主要是受宏觀經(jīng)濟(jì)下行、半導(dǎo)體行業(yè)周期性波動(dòng)、下游應(yīng)用市場(chǎng)供求關(guān)系變化、上游原材料價(jià)格波動(dòng)、生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整、研發(fā)投入增加等多種因素綜合影響。

華羿微電存在存貨快速增長(zhǎng)及存貨減值的風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告期各期末，華羿微電的存貨賬面價(jià)值分別為14380.99萬(wàn)元、25493.40萬(wàn)元和49217.37萬(wàn)元，存貨總體呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)趨勢(shì)，存貨跌價(jià)準(zhǔn)備余額分別為426.19萬(wàn)元、677.42萬(wàn)元和4995.20萬(wàn)元。

報(bào)告期內(nèi)，華羿微電按照產(chǎn)品類型劃分的主營(yíng)業(yè)務(wù)收入情況列示如下：


自有品牌產(chǎn)品和封測(cè)產(chǎn)品占比相近，幾乎各貢獻(xiàn)一半營(yíng)收。在自有品牌中，華羿微電2020年以Trench MOSFET銷售為主，而到了2022年一直增長(zhǎng)強(qiáng)勁的SGT MOSFET產(chǎn)品收入占比超過(guò)Trench MOSFET，當(dāng)期實(shí)現(xiàn)的銷售收入為3.46億元，同比增長(zhǎng)67.41%。

根據(jù)弗若斯特沙利文報(bào)告，剔除IDM模式廠商，2022年華羿微電在SGT MOSFET以及Trench MOSFET領(lǐng)域的銷售規(guī)模位列國(guó)內(nèi)前三。

2022年與SGT MOSFET產(chǎn)品一樣實(shí)現(xiàn)正向增長(zhǎng)的還有IGBT封測(cè)產(chǎn)品，以31.65%的速度從2021年的8966萬(wàn)元增長(zhǎng)至2022年的1.18億元。

此外，2022年華羿微電的Trench MOSFET自有品牌產(chǎn)品和MOSFET及模塊、二極管封測(cè)產(chǎn)品收入均較2021年出現(xiàn)下滑，下滑幅度分別為-33.98%、-11.71%、-19.47%，Trench MOSFET成為下滑最嚴(yán)重的產(chǎn)品。

華羿微電的自有品牌產(chǎn)品已達(dá)到車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，并已進(jìn)入汽車尤其新能源汽車供應(yīng)體系，應(yīng)用于以比亞迪（弗迪動(dòng)力）、廣汽汽車（廣汽埃安）、五菱汽車（上汽五菱）為代表的汽車電子領(lǐng)域。且華羿微電工業(yè)級(jí)產(chǎn)品已進(jìn)入以新華三為代表的服務(wù)器領(lǐng)域，以創(chuàng)科為代表的電動(dòng)工具領(lǐng)域，及以明緯電源、新能安、大疆、杭可科技、泰坦為代表的電源、儲(chǔ)能、無(wú)人機(jī)等工業(yè)控制和消費(fèi)電子領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外知名客戶的終端產(chǎn)品。

在功率器件封裝方面，華羿微電已將產(chǎn)品供應(yīng)給英飛凌、United SiC（現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu)）、羅姆、納微、華微電子、士蘭微、東微半導(dǎo)、宏微科技、華潤(rùn)微、基本半導(dǎo)體、英諾賽科等眾多半導(dǎo)體企業(yè)。

與同行企業(yè)比較：營(yíng)收規(guī)模仍較小，發(fā)明專利數(shù)量較少

華羿微電的營(yíng)收主要來(lái)自SGT MOSFET、Trench MOSFET自有品牌產(chǎn)品，以及覆蓋低壓至高壓不同封裝類型的功率器件及功率模塊封測(cè)產(chǎn)品，其在產(chǎn)品上面臨的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括安森美、意法半導(dǎo)體、威世、東芝、美國(guó)萬(wàn)代、新潔能、蘇州固锝、華微電子、宏微科技、藍(lán)箭電子等。


華羿微電的營(yíng)收規(guī)模與國(guó)內(nèi)頭部的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，還是較小的，產(chǎn)品市占率也較低。根據(jù)芯謀研究統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2020年、2021年國(guó)內(nèi)MOSFET銷售收入分別為33.8億美元、46.6億美元，經(jīng)測(cè)算，華羿微電MOSFET銷售收入占國(guó)內(nèi)MOSFET市場(chǎng)份額分別約2.98%、2.98%。

在功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，華羿微電搭建了行業(yè)先進(jìn)的晶圓工藝平臺(tái)，積累了高可靠終端耐壓保護(hù)技術(shù)、低功耗功率MOSFET工藝技術(shù)和寬SOA、高可靠性以及強(qiáng)抗沖擊能力技術(shù)等，在模擬仿真、版圖設(shè)計(jì)、DOE方案設(shè)計(jì)等各環(huán)節(jié)均具備較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。華羿微電系統(tǒng)級(jí)功率模塊產(chǎn)品目前已完成研發(fā)，正在進(jìn)行市場(chǎng)推廣，3300V、1700V碳化硅產(chǎn)品已通過(guò)客戶驗(yàn)證，并小批量試產(chǎn)。

在功率器件封裝測(cè)試領(lǐng)域，華羿微電積累了晶圓減薄與背面金屬化技術(shù)、低空洞率軟焊料上芯技術(shù)、細(xì)鋁線裸銅框架鍵合技術(shù)、高可靠性鋁帶鍵合技術(shù)等。華羿微電第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）系列功率器件封測(cè)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，車規(guī)級(jí)功率器件封測(cè)產(chǎn)品也已通過(guò)客戶端AEC-Q101認(rèn)證并已量產(chǎn)。


雖然華羿微電已有多項(xiàng)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)與制造工藝達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)同等或相近水平，但在技術(shù)能力、高端人才儲(chǔ)備、工藝積累、產(chǎn)品線豐富程度、企業(yè)規(guī)模、品牌知名度等方面仍存在一定差距。華羿微電需進(jìn)一步加大研發(fā)投入、擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模、豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，持續(xù)提升競(jìng)爭(zhēng)力。


募資11億加快車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等

華羿微電沖刺科創(chuàng)板IPO，擬募集11億元資金，投資3大募投項(xiàng)目。

募投項(xiàng)目將圍繞華羿微電主營(yíng)業(yè)務(wù)開展，一方面著力擴(kuò)大車規(guī)級(jí)功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢(shì)，優(yōu)化華羿微電產(chǎn)品結(jié)構(gòu)；同時(shí)，通過(guò)研發(fā)中心建設(shè)加強(qiáng)華羿微電整體技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品開發(fā)能力，鞏固并提升華羿微電在功率器件領(lǐng)域的研發(fā)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)；另一方面補(bǔ)充必要的流動(dòng)資金，為華羿微電進(jìn)一步發(fā)展提供資金支持。


具體來(lái)看，華羿微電為了加快在車規(guī)級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)的布局，擬在車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目中投入6.4億元募集資金，建設(shè)涵蓋功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等各個(gè)流程的車規(guī)級(jí)功率器件產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)各類車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。

研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目，華羿微電擬投入1億元募集資金，進(jìn)行現(xiàn)有產(chǎn)品的升級(jí)迭代和SGT新平臺(tái)、第三代半導(dǎo)體功率器件、SJ MOSFET及高功率密度IGBT等方向的自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐，豐富公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

未來(lái)，華羿微電表示，一方面，加大研發(fā)投入、持續(xù)引進(jìn)研發(fā)人員、積極開展與國(guó)內(nèi)知名高校的產(chǎn)學(xué)研合作、深耕行業(yè)前沿技術(shù)，進(jìn)一步拓寬產(chǎn)品種類，提升產(chǎn)品性能。另一方面，持續(xù)提升公司的封測(cè)工程技術(shù)能力和生產(chǎn)規(guī)模，立志成為全球技術(shù)最優(yōu)、規(guī)模最大、效率最高的功率器件封測(cè)產(chǎn)品基地。