前兩天，汪三讓我?guī)退乙粋€吸收式的開關(guān)，哼哧哼哧地找了好久才找到。結(jié)果他又說，隔離度也不是太好啊？為啥比你之前給我推薦的反射式的還要差？

超級大帥哥：為啥你一定要用吸收式的開關(guān)？

汪三：不是說吸收式比反射式的隔離度要好很多嗎？

超級大帥哥：開關(guān)的性能取決于芯片的設(shè)計及工藝等因素，在同等情況下，吸收式是比反射式的隔離度要好，但如果設(shè)計和工藝有差距的情況下，吸收式的隔離度反而比反射式的要差。

汪三：我不管，我不管，你給我找個隔離度高的開關(guān)。

超級大帥哥：你可聽聞閃電五連鞭和“別打臉3000”？

汪三：哎呦，別打臉，別打臉！

好爽！！！！！

現(xiàn)在看一下兩者的架構(gòu)：

反射式開關(guān)（一）架構(gòu)：

圖一

吸收式開關(guān)架構(gòu)：

圖二

從上面兩張圖對比，我們可以發(fā)現(xiàn)在RFC切換到RF1或RF2的時候，兩者是有差別的。

反射式開關(guān)（一）在RFC切換到任意一路后，另一路一定是空載，在空載的情況下，對應(yīng)的S參數(shù)將不在50Ω阻抗附近。比如RF1接TX，RF2接RX，當(dāng)RFC切到RF1的時候，RF2空載。當(dāng)有TX發(fā)射信號的時候，會有一定的信號耦合到RF2上，從而進(jìn)入到RX路徑，從而產(chǎn)生額外底噪，這個時候開關(guān)的隔離度參數(shù)就非常重要了隔離度越高，耦合到RF2上的信號越低，底噪就越低。

再看吸收式開關(guān)，在RFC切換到任意一路后，另一路都是通過負(fù)載（如圖二中紅色圓圈內(nèi)所示）短接到地的，比如RF1接TX，RF2接RX，當(dāng)RFC切到RF1的時候，RF2切換后短路到負(fù)載，然后接地。耦合信號會先被負(fù)載吸收，然后再被GND吸收，不會傳導(dǎo)到RX路徑上，再加上良好的隔離度，這樣就會大大地降低額外產(chǎn)生的底噪，提升系統(tǒng)抗干擾能力。

反射式開關(guān)還有另外一種形式，如圖三，反射式開關(guān)架構(gòu)（二）：

圖三

反射式開關(guān)（二），這里，我們會發(fā)現(xiàn)RF1/RF2在RFC切換到任意一路后，另一路一定會切換連接到GND的，這種方式叫短路反射式開關(guān)。在RFC切換到任意一路后，另一路短接到地（如圖三中紅色圓圈內(nèi)所示），比如RF1接TX，RF2接RX，當(dāng)RFC切到RF1的時候，RF2切換后短路到GND。信號耦合到RF2上后，一部分會傳導(dǎo)到GND，一部分繼續(xù)傳導(dǎo)到RX路徑，如果隔離度良好的話，也會降低額外產(chǎn)生的底噪，提升系統(tǒng)抗干擾能力。但是相對吸收式開關(guān)來說，還是有點小差距的。

這是反射式和吸收式開關(guān)的差別， 其他性能相近且不考慮價格的情況下 ，三者比較如下。

講故事總有個“但是”，不錯吧！

我們這里也有個但是，不論是吸收式還是反射式開關(guān)，我們選擇它們的時候，都是要根據(jù)性能來選擇的，比如IL（插損），Isolation（隔離度），RL（回?fù)p），功率承載上限，線性度（如P0.1dB/OIP1,OIP3）,開/關(guān)時間等參數(shù)。

如果產(chǎn)品是大功率的話，性能都接近的話，就選吸收式的，避免S22參數(shù)不好的問題而導(dǎo)致芯片燒毀或底噪過大。

如果產(chǎn)品是低功率的話，性能都接近的話，可以選反射式的，價格相對便宜一些，可選擇物料較多。

開關(guān)選擇還是要根據(jù)實際項目需求來選擇，不能和汪三一樣，一味追求吸收式的開關(guān)。