ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開(kāi)關(guān),采用無(wú)引腳、表貼封裝。
該開(kāi)關(guān)非常適合高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,如長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)基站。
ADRF5130具有43 dBm(典型值)高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm(典型值)輸入線性度三階交調(diào)截點(diǎn)和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)。
片內(nèi)電路在5 V單正電源電壓下工作,典型偏置電流為1 mA,使其成為基于引腳二極管開(kāi)關(guān)的理想替代器件。
該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
應(yīng)用
蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
軍事和高可靠性應(yīng)用
測(cè)試設(shè)備
引腳二極管替代器件
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:ADRF5130BCPZ 44 W峰值、硅SPDT、反射式開(kāi)關(guān)
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ADRF5130 0.7 GHz至3.5 GHz高功率、44 W峰值、硅SPDT、反射式開(kāi)關(guān)

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