ADRF5130 0.7 GHz至3.5 GHz高功率、44 W峰值、硅SPDT、反射式開(kāi)關(guān)

數(shù)據(jù)： ADRF5130產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊(cè)

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

反射式50 ?設(shè)計(jì)
低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
高功率處理
- 連續(xù)平均功率：43 dBm
- 峰值功率：46.5 dBm
高線(xiàn)性度
- 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
- 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
ESD額定值
- 人體模型(HBM)：2 kV，2級(jí)
- 充電器件模型(CDM)：待定
單正電源
- V_DD：5 V
正控制，TTL兼容
- V_CTL： 0 V 或 5 V
24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm²)

產(chǎn)品詳情

ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開(kāi)關(guān)，采用無(wú)引腳、表貼封裝。該開(kāi)關(guān)非常適合高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm（典型值）輸入線(xiàn)性度三階交調(diào)截點(diǎn)和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)。片內(nèi)電路在5 V單正電源電壓下工作，典型偏置電流為1 mA，使其成為基于引腳二極管開(kāi)關(guān)的理想替代器件。

該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

應(yīng)用