2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管,器件結構如圖1.15所示。從此,半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮,每年的國際
發表于 05-19 16:08
?227次閱讀
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成:雙極結型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結,MOSFET也是如此。結型場效應晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結,隧道穿透
發表于 05-16 17:32
?374次閱讀
電子發燒友網站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
發表于 03-17 17:15
?0次下載
FinFET(鰭式場效應晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構,旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統的平面晶體管
發表于 02-17 14:15
?1091次閱讀
電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
發表于 02-13 15:23
?0次下載
隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環繞柵或圍柵(GAA
發表于 01-24 10:03
?3164次閱讀
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的場效應晶體管(FET)直到1945年才出現,但這個想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩
發表于 01-23 09:42
?721次閱讀
結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應晶體管(N-Channel Field-Effect Transistor,簡稱N溝道
發表于 10-07 17:28
?1107次閱讀
結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應原理工作的三端有源器件,其工作原理和特性對于理解其在電子電路中的應用至關重要。以下將詳細闡述JFET的工作原理和特性。
發表于 10-07 17:21
?2207次閱讀
場效應晶體管以其獨特的電壓控制特性和廣泛的應用領域,在電子技術領域中占據著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結型)和MOS-FET(金屬-氧化物半導體場效應管),兩者雖同屬單極型晶體管
發表于 09-27 16:17
?1077次閱讀
在選擇場效應晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南,包括關鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
發表于 09-23 18:18
?1161次閱讀
鐵電場效應晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術,其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉特性及其對半導體通道電流的調控。
發表于 09-13 14:14
?3073次閱讀
對輸出信號的控制。JFET具有結構簡單、工作頻率高、功耗低、易于集成等優點,被廣泛應用于高頻電路、開關電源、功率放大器等電子系統中。以下是對結型場效應晶體管的詳細解析。
發表于 08-15 16:41
?1857次閱讀
場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT,也稱雙極性結型晶體管)是兩種常見的半導體
發表于 08-13 17:42
?3544次閱讀
場效應晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優點,在電子技術領域得到了廣泛的應用。 一
發表于 08-01 09:13
?1792次閱讀
評論