三星3nm GAA商業量產已經開始。

半導體行業研究公司TechInsights表示，發現三星的 3nm GAA（環柵）工藝已被納入中國制造商比特微的加密礦機 ASIC（Whatsminer M56S++）中。

TechInsights在獨家提供給DIGITIMES Asia的顛覆性技術活動簡報中指出，這一發展的意義在于GAA技術的商業化利用，有助于將晶體管微縮至2nm及以上。TechInsights 表示：“這一發展至關重要，因為它有潛力增強性能、提高能源效率、遵循摩爾定律并實現先進應用?！彼J為比特微 ASIC 芯片是業界首款采用 GAA 技術的商業化產品。

這也表明三星是比特微的代工廠，采用 3nm GAA 工藝。DIGITIMES Research半導體分析師Eric Chen指出，三星確實已經開始生產采用3nm GAA工藝的芯片，但產能仍然較小。“從出貨中獲得收入可以被定義為‘商業化’，但就架構而言，ASIC 是一種生產相對簡單的芯片?！?/p>

DIGITIMES分析師John Wang強調，三星3nm GAA工藝的良率仍然較低，因此它將嘗試獲得盡可能多的客戶來幫助訓練其工藝并提高良率。他們為什么會與中國客戶做生意是可以理解的。

分析師表示，3納米工藝被證明可制造的事實并不一定意味著它已經取得了令人滿意的良率，可以為代工廠產生商業價值。

三星聲稱，與 5nm 技術相比，其第一代 3nm 工藝可降低 45% 的功耗，提高 23% 的性能，并減少 16% 的芯片面積，有望為下一代帶來更多進步。

來源：TechInsight；Whatsminer M56S++芯片照片（背面多晶硅圖像

消息稱三星將為特斯拉供應下一代汽車自動駕駛芯片

據韓媒《韓國經濟》援引半導體業界消息，繼今年 5 月三星電子會長李在镕與特斯拉 CEO 馬斯克會面后，雙方合作關系得到進一步加強。當前最新的消息稱，特斯拉“已決定”委托三星電子代工量產供 HW 5.0 使用的芯片。

HW 5.0 是特斯拉重點研發的下一代自動駕駛硬件，預計將在兩年左右應用于特斯拉的高端車型（或 L5 級別自動駕駛汽車）。在去年 HW 5.0 開發的早期階段，特斯拉曾選擇臺積電作為唯一的代工合作伙伴。

然而，這種情況在過去兩三個月發生了變化。三星將其 4nm 等尖端工藝的良品率提高到 70%，與臺積電的水平相近。

多名熟悉三星、臺積電的人士透露稱，“特斯拉已經決定接受李在镕的提議”，且“正在醞釀選擇三星和臺積電作為多家供應商，或者 100% 外包給三星 ”，因為李在镕“為特斯拉提供了定制化的技術、相對有吸引力的價格”。

今年 5 月，李在镕于三星北美半導體研究中心會見了馬斯克，雙方討論了未來尖端產業領域的合作方案。今年 4 月，三星了贏得全球自動駕駛芯片制造商 Mobileye（英特爾專門從事自動駕駛技術的子公司）的尖端芯片訂單，為 Mobileye 生產高級駕駛輔助系統芯片“EyeQ”系列產品。

三星4納米制程良率與臺積電

媒體報道，一名分析師表示，三星電子已提高4納米芯片制程的良率，達到可與臺積電相比擬的水準，增添贏回無晶圓廠芯片客戶的可能性。

韓國經濟日報報道，HI投資證券半導體分析師樸相昱在11日的研究報告指出，三星電子的4納米芯片制程生產良率已提高到75%，更先進的3納米制程良率則改善到60%。今年初時，產業人士預估三星電子的4納米制程良率約為50%。

若3納米和4納米等先進制程技術良率超過60%，意味著使用這些制程的芯片生產達到穩定水準。樸相昱說，三星電子能提高制造良率的原因之一，也是芯片業景氣趨緩，“隨著整體產業放緩，晶圓廠的產能利用率降低，三星投入更多測試晶圓于改善良率”。

他說：“三星10納米以下的良率改善已放緩，致使三星不斷延后推出產品，而良率是蘋果、英偉達及高通等關鍵晶圓代工客戶轉向臺積電的關鍵”，臺積電和三星電子去年的資本支出差距因而拉大到3.4倍，產能差距也擴大到3.3倍，“在7納米技術以下的制程節點，臺積電去年的市占率接近90%，讓三星更難趕上”。

樸相昱認為，現在三星電子在先進制程節點的晶圓代工良率已幾乎和臺積電比肩，提高了贏回高通和英偉達等客戶的機率，誘因包括采用環繞閘極（GAA）電晶體架構的3~5納米制程良率改善，以及芯片業希望降低對臺積電的依賴、增加供應來源。

其他分析師也表示，三星電子的3納米制程良率改善后，在更先進2納米制程與臺積電相競爭的本錢也更雄厚。三星電子和臺積電都已承諾要在2025年用2納米制程量產先進芯片。

三星電子晶圓代工事業主管崔世英6月底表示，2025年將以2納米制程量產行動芯片，2026年應用于超級電腦和電腦叢集的高效運算（HPC），2027年再應用于車用芯片，同時計劃2027年前開始量產1.4納米芯片。

審核編輯：劉清