概述

本章STM32CUBEMX配置STM32F103，并且在GD32F303中進(jìn)行開發(fā)，同時(shí)通過開發(fā)板內(nèi)進(jìn)行驗(yàn)證。 本例程主要講解如何對(duì)芯片自帶Flash進(jìn)行讀寫，用芯片內(nèi)部Flash可以對(duì)一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存，無需加外部得存儲(chǔ)芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6進(jìn)行移植，512K大小的Flash。 需要樣片的可以加Qun申請(qǐng)：615061293。

csdn課程

課程更加詳細(xì)。

https://download.csdn.net/course/detail/37152

樣品申請(qǐng)

https://www.wjx.top/vm/mB2IKus.aspx

生成例程

這里準(zhǔn)備了自己繪制的開發(fā)板進(jìn)行驗(yàn)證。

配置時(shí)鐘樹，配置時(shí)鐘為64M。

查看原理圖，PA9和PA10設(shè)置為開發(fā)板的串口。

配置串口。

串口重定向

在main.c中，添加頭文件，若不添加會(huì)出現(xiàn) identifier "FILE" is undefined報(bào)錯(cuò)。

/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */

函數(shù)聲明和串口重定向：

/* USER CODE BEGIN PFP */
/* retarget the C library printf function to the USART */
int fputc(int ch, FILE *f)
{
    HAL_UART_Transmit(&huart2 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);
    return ch;
}
/* USER CODE END PFP */

FLASH定義

對(duì)于STM32F103，有低、鐘、高密度的FLASH類型。

低密度

中密度

高密度

對(duì)于STM32F103ZE,FLASH大小為512KB，固為高密度的Flash。

變量定義

/* USER CODE BEGIN 0 */
uint32_t WriteFlashData[3] = {0x11111111,0x22222222,0x33333333};//數(shù)據(jù)
uint32_t WriteFlashData1[3] = {0x44444444,0x55555555,0x66666666};//數(shù)據(jù)
uint32_t addr = 0x0807F800;//page 255
uint32_t addr1 = 0x0807FC00;//page 255+1k

void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr);
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr);

/* USER CODE END 0 */

如果要對(duì)FLASH進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)，需要執(zhí)行以下四步：

1. 解鎖FLASH
2. 擦除FLASH
3. 寫入FLASH
4. 鎖住FLASH

擦除只能是按頁或者整塊擦除。 STM32F103ZET6和GD32F403ZET6的Flash容量是512KB,所以只有255頁，每頁2KB。 我們可以寫入到頁255中，即0x0807F800-0x0807FFFF中。 由于單片機(jī)是32位，故連續(xù)寫入多個(gè)uint32_t的數(shù)據(jù)時(shí)，地址應(yīng)該依次增加4。

/* USER CODE BEGIN 4 */

/*FLASH寫入程序*/
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)
{
    uint32_t i=0;
    /* 1/4解鎖FLASH*/
    HAL_FLASH_Unlock();
    /* 2/4擦除FLASH*/
    /*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
    /*擦除方式頁擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，塊擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
    /*擦除頁數(shù)*/
    /*擦除地址*/
    FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
    FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    FlashSet.PageAddress = addr;
    FlashSet.NbPages = 1;
    /*設(shè)置PageError，調(diào)用擦除函數(shù)*/
    uint32_t PageError = 0;
    HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
    /* 3/4對(duì)FLASH燒寫*/
    for(i=0;i< L;i++)
    {
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);
    }
    /* 4/4鎖住FLASH*/
    HAL_FLASH_Lock();
}


/*FLASH讀取打印程序*/
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)
{
    uint32_t i=0;
    for(i=0;i< L;i++)
    {
        printf("naddr is:0x%x, data is:0x%x", addr+i*4,  *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));
    }

}
/* USER CODE END 4 */

主程序

/* Infinite loop */
  /* USER CODE BEGIN WHILE */
  while (1)
  {
    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */
        WriteFlashTest(3,WriteFlashData,addr);
        WriteFlashTest(3,WriteFlashData1,addr1);
        PrintFlashTest(3,addr);
        PrintFlashTest(3,addr1);
        HAL_Delay(5000);

  }
  /* USER CODE END 3 */

演示效果

可以看見，對(duì)于高容量，頁的大小位2k，故寫入addr1時(shí)候，addr的數(shù)據(jù)就被擦除了。

審核編輯：湯梓紅