實現(xiàn)了封裝面積減半的超小型尺寸

TDK通過HDD磁頭業(yè)務(wù)中積累的獨有薄膜工藝，開發(fā)了TCM0403R產(chǎn)品，其相比現(xiàn)有薄膜共模濾波器實現(xiàn)了大幅的小型化。

可節(jié)省電路基板空間與提高設(shè)計自由度的噪音抑制元件

智能手機及平板電腦等電子設(shè)備的高功能化進程不斷加快。因此，設(shè)備中使用的元件數(shù)量不斷增加，共模濾波器等噪音抑制元件的使用數(shù)量也呈現(xiàn)增加趨勢。同時，除了高功能化，這些設(shè)備同時還向小型、輕薄化發(fā)展，因此預(yù)計未來元件的封裝密度將會增大。此外，隨著設(shè)備設(shè)計自由度的提高，今后對于電子元件小型化的要求將會越來越高。

TDK通過改善薄膜工藝，優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計，在維持現(xiàn)有產(chǎn)品（TCM0605系列）特性的同時，使產(chǎn)品面積縮小至原有的1/2以下(41.5％)，實現(xiàn)了行業(yè)最小等級的超小型薄膜共模濾波器TCM0403R，并實現(xiàn)了產(chǎn)品化。

圖1現(xiàn)有產(chǎn)品(TCM0605系列)與新產(chǎn)品(TCM0403R)之間的尺寸比較

表1TDK薄膜共模濾波器的產(chǎn)品尺寸與導體形狀變化

產(chǎn)品尺寸	1.0x1.25mm	1.0x0.5mm	0.65x0.5mm	0.45x0.3mm
Line寬	1	0.67	0.56	0.28
Aspect比	1.0	1.2	1.0	2.8

*1 Line寬是將1.0x1.25㎜產(chǎn)品作為1 的比例進行表述
*2 Aspect比

實現(xiàn)超小型化的TDK技術(shù)與措施

為了實現(xiàn)與現(xiàn)有產(chǎn)品相比將產(chǎn)品面積縮小至1/2以下的超小型形狀，產(chǎn)品設(shè)計與工藝優(yōu)化必不可少。以下對該工藝與TDK的措施進行介紹。

(1)圈導體的精細模式化

為在實現(xiàn)產(chǎn)品面積1/2的技術(shù)范圍內(nèi)確保與現(xiàn)有產(chǎn)品擁有同等特性，需要事先將現(xiàn)有產(chǎn)品2倍以上的導體精細化與導體高寬比率*2。TDK薄膜共模濾波器的以往產(chǎn)品尺寸與導體形狀變化如下表所示。該導體的精細模式化是以HDD磁頭制造中的薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)，并通過引進適合電子元件的光刻技術(shù)并改善電鍍技術(shù)而實現(xiàn)的。

(2)圓上形成端子電極

普通被動元件主要以芯片狀態(tài)形成端子，而薄膜共模濾波器TCM系列等薄膜電子元件則采用了在晶圓上形成端子的工藝及結(jié)構(gòu)。共模濾波器中最少為四端子，因此在精度問題上，芯片狀態(tài)下的端子形成隨著小型化的推進，將出現(xiàn)更多的課題。對此，TCM系列中引進了在晶圓上形成端子的工藝，實現(xiàn)了只有薄膜工藝才可形成的高精度端子，從而使產(chǎn)品面積變?yōu)楝F(xiàn)有產(chǎn)品1/2以下的超小型化成為可能。

為此，TDK通過應(yīng)用先進的薄膜技術(shù)，實現(xiàn)了領(lǐng)先于其他公司的電子元件小型化。今后，小型化將持續(xù)得到進一步發(fā)展，在為設(shè)備的小型、輕薄、輕量化以及高功能化做出貢獻的同時，積極降低環(huán)境負荷。

圖2薄膜共模濾波器TCM0403R的特性示例

與現(xiàn)有產(chǎn)品TCM0605G-900相比，在實現(xiàn)了產(chǎn)品面積縮小至1/2以下的小型化的同時，在共模特性、差模特性方面確保了同等的特性。

主要特點、用途、規(guī)格、電氣特性

主要特點

通過薄膜工藝實現(xiàn)行業(yè)最小等級的共模濾波器

與現(xiàn)有產(chǎn)品TCM0605G相比實現(xiàn)同等特性

主要用途

智能手機、平板電腦等移動設(shè)備的噪音抑制

主要電氣特性

Operating temperature range: –25 to +85°C

頻率特性