申請到雷龍發(fā)展代理的CS創(chuàng)世 貼片 SD Card (SD NAND) 樣品,做出測試,分享一下。
型號:CSNP32GCR01-BOW;CSNP4GCR01-BOW
生產(chǎn)方:CS創(chuàng)世半導(dǎo)體
總代理官方網(wǎng)站:深圳市雷龍發(fā)展有限公司
目前雷龍發(fā)展代理的 SD NAND 已可在立創(chuàng)商城搜索到,其詳情頁也附有手冊。
芯片簡介
芯片外觀及封裝
實拍圖:
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根據(jù)官方文檔介紹,此款芯片采用 LGA-8 封裝,標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口,兼容SPI/SD接口。
標(biāo)準(zhǔn)的SD 2.0協(xié)議可以直接移植標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動代碼,支持TF卡啟動的SOC都可以用SD NAND。
芯片主要參數(shù)(以CSNP32GCR01-BOW手冊為準(zhǔn))
Interface: Standard SD Specification Version 2.0 with 1-I/O and 4-I/O.
Default mode: Variable clock rate 0 - 25 MHz, up to 12.5 MB/sec interface speed (using 4 parallel data lines)
High-Speed mode: Variable clock rate 0 - 50 MHz, up to 25 MB/sec interface speed (using 4 parallel data lines)
高速模式下,可達到 25MB/s 的傳輸速度,在普通模式下也有 12.5MB/s 的傳輸速度。
端口信息對比
SD NAND 接口信息
SD Card 接口信息
micro SD:
SD:
可以對比,除引腳分布外,在引腳功能上SD NAND 和 SD Card 并無明顯差別。
參考設(shè)計電路圖
從所給的參考電路來看,與設(shè)計 SD卡托 所需外圍電路基本一致,不用修改外圍器件或原理圖,只需少量修改 PCB 布局即可實現(xiàn)替換。
NAND Flash Menory
介紹 NAND Flash 有關(guān)資料均來自 KIOXIA 官網(wǎng) 。
存儲單元結(jié)構(gòu)
下圖為閃存的內(nèi)部存儲單元結(jié)構(gòu)(橫截面)。存儲單元是數(shù)據(jù)存儲的最小單位。通過將電子移入或者移出封閉在絕緣體中的電荷存儲膜來存儲數(shù)據(jù)。
寫入擦除操作
當(dāng)高壓(Vcg(++))施加到控制柵極(control gate)時,電子穿過絕緣體(Insulator)并從硅襯底(Silocon substrate)進入電荷存儲膜(Charge storage film)(如圖a)。當(dāng)電源關(guān)閉時,此存儲電子的狀態(tài)仍會存在。當(dāng)在硅襯底側(cè)施加高電壓(Vw(++))時,電子穿過絕緣體并從電荷存儲膜離開到硅襯底側(cè)(如圖b)。這就是存儲單元寫入數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)的操作。
數(shù)據(jù)0和數(shù)據(jù)1判定
當(dāng)向控制柵極施加恒定電壓(讀出電壓Vcg(+))時,數(shù)據(jù)”0“和”1“取決于電流是否在存儲單元內(nèi)橫向流動。當(dāng)電壓逐漸施加到控制柵極時,電流開始在存儲單元中流動的控制柵電壓被稱為閾值電壓。”0“和”1“的判斷是利用該閾值電壓根據(jù)電荷存儲膜中是否存在電子而變化的事實來執(zhí)行的。在電荷存儲膜中有電子的狀態(tài)下(數(shù)據(jù)”0“),閾值電壓高于讀出電壓Vcg(+),所以電流不流動(如圖a)。在電荷存儲膜中沒有電子的狀態(tài)下(數(shù)據(jù)”1“),閾值電壓低于讀出電壓Vcg(+),因此電流流動。
即使是電源關(guān)閉,狀態(tài)仍然會保留,即斷電不丟失。
NAND Flash
存儲單元串聯(lián)排列的結(jié)構(gòu)稱為 NAND Flash,NAND Flash的一個特點是可以高密度排列存儲單元。
NAND Flash 相比較于 NOR Flash 容量更大,擦寫速度更快。作為存儲數(shù)據(jù)是不錯的選擇。
傳輸速度測量
以 CSNP4GCR01-BOW 為例子:
這個芯片又不往電腦上用,測速就略微看看,做個參考就得了。
SD卡控制
對于 NAND SD卡的控制,官方有提供基于 STM32 的測試程序,這里由于篇幅原因,不做過多介紹,其與普通 SD Card 基本相同。
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【本文轉(zhuǎn)載自CSDN,作者:喜暖知寒】
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