安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

高速低功耗助您裝置小型化

隨著現(xiàn)代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

該款MOSFET采用先進工藝制造,在保證100V額定電壓的同時,正常導通電阻僅為9mΩ。相比業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品,具有明顯 conduction loss 優(yōu)勢。另外,其寄生參數(shù)也經(jīng)過精心設計與優(yōu)化。輸入電容僅為3370pF,Miller電荷也控制在49nC,有助于實現(xiàn)高速轉(zhuǎn)換。

此外,ASDM100R090NKQ擁有強大的迪安反向恢復能力,使其非常適合于不同的開關拓撲,尤其是硬開關和高速電路。反向恢復時間僅為6ns,反向恢復電荷為226nC。無論是在逆變器、PFC電路還是LLC電路中,均可實現(xiàn)高效率的同步整流。

ASDM100R090NKQ的另一大優(yōu)勢在于增強的可靠性設計。該器件不僅100%測試于無限制電感載流(UIS)條件下,還進行了100%的柵極電阻(Rg)可靠性篩選。此外,其擁有強大的單脈沖雪崩能力(80mJ),可有效提高MOSFET在拓撲故障狀態(tài)下的穩(wěn)健性。

綜上所述,安森德公司這一新推出的高速低功耗MOSFET,性能參數(shù)先進,可靠性設計出色。其在小型化和高效率電源設計中具有明顯的優(yōu)勢。如果您正在為開關電源或逆變器尋找高性價比的MOSFET解決方案,ASDM100R090NKQ將是一個不二之選。

審核編輯：湯梓紅