應(yīng)用信息

◆輸出電流

輸出電流由芯片內(nèi)部的誤差放大器采樣并且和內(nèi)部 的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較以及誤差放大，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng) 的恒流控制，輸出電流公式如下: Iout=176mV/RCS

◆芯片工作

系統(tǒng)上電后通過(guò)啟動(dòng)電阻對(duì)連接于電源引腳 VDD 的電容充電，當(dāng)電源電壓高于 3.4V 后，芯片電路 開(kāi)始工作，直到 VDD 端口電壓穩(wěn)定達(dá)到鉗位電壓 5.4V 左右，芯片的供電電流主要有 VDD 端口接入 的電阻 RVDD 提供。

◆電感選擇

為了確保恒流精度，需要選擇合適的電感，使得電感 工作在連續(xù)電流模式， 電感的臨界值為： 為保證系統(tǒng)的輸出恒流特性，應(yīng)用當(dāng)中電感值的選擇 要大于 LBCM ，電感電流應(yīng)工作在連續(xù)模式。

◆MODE 設(shè)置

功能 MODE

全亮 懸空

半亮 VDD

◆過(guò)溫保護(hù)

芯片內(nèi)置了智能過(guò)溫保護(hù)電路，隨著溫度的升高，逐 漸降低輸出電流，既能防止溫度過(guò)高燒毀電路，又能 防止突然關(guān)閉電流引起照明異常。

◆續(xù)流二極管

注意續(xù)流二極管的額定平均電流應(yīng)大于流過(guò)二極管 的平均電流。平均電流計(jì)算公式如下：

注意，二極管應(yīng)具有承受反向峰值電壓的能力。建議 選擇反向額定電壓大于 VIN 的二極管。為了提高 效率，建議選擇快恢復(fù)的肖特基二極管。

◆VDD 供電電阻

芯片主要是通過(guò)一個(gè)供電電阻 RVDD 到芯片 VDD 提供芯片的工作電流，通常情況下，VDD 滿足

VDD?VIN?ID?RVDD

公式中可以看出，RVDD 過(guò)大會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)供電不足， 過(guò)小則會(huì)導(dǎo)致功耗過(guò)大、芯片過(guò)熱。IVDD 典型值取 2mA。如果 MOS 管的輸入電容較大時(shí)，芯片工作 電流會(huì)增大，相應(yīng)地應(yīng)減小供電電阻取值。

◆VDD 旁路電容

VDD 引腳需要并聯(lián)一個(gè) 0.47uF 以上的旁路電容。 PCB 布板的時(shí)候 VDD 電容需要緊挨著端口布局。

◆MOS 管選擇

MOS 管耐壓選擇要高于 輸入電壓的 1.2 倍以 上； MOS 管電流 IDS 選擇一般要求是電感最大峰值 電流的 2 倍以上。MOS 管的導(dǎo)通電阻 RDSON 越 小，損耗在 MOS 管上的功率也越小，系統(tǒng)轉(zhuǎn)換的 效率越高。MOS 管閾值電壓 VGS 要選擇較低的閾 值電壓值，芯片的電源工作電壓決定了 DRV 驅(qū)動(dòng)電 壓，通常芯片的 驅(qū)動(dòng)電壓為 5.4V，所以要保證 MOS 管在 VGS 等于 5.4V 時(shí)能完全導(dǎo)通。

◆PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

1：芯片 SW 端與續(xù)流二極管、功率電感的布線覆銅 盡可能長(zhǎng)度短、線寬大。 2：芯片 SW 端與 CS 檢流電阻的布線覆銅，CS 檢 流電阻與輸入電容 GND 的布線覆銅，都應(yīng)盡可能 長(zhǎng) 度短、線寬大。 3：芯片的 VDD 電容靠近芯片布局，VDD 電容的 GND 端與 CS 檢流電阻 GND 端保持單點(diǎn)連接。 4：系統(tǒng)的輸入電容盡可能靠近 AP5125 系統(tǒng)布局， 保證輸入電容達(dá)到最好的濾波效果。

電源芯片特點(diǎn)

◆寬輸入電壓范圍：9V～100V

◆固定工作頻率：140KHZ

◆可設(shè)定電流范圍：10mA～6000mA

◆內(nèi)置抖頻電路，降低對(duì)其他設(shè)備的 EMI 干擾

◆平均電流模式采樣，恒流精度更高

◆CS 電壓：176mV

◆輸出短路保護(hù)

◆過(guò)溫保護(hù)

◆功能模式：全亮/半亮

◆內(nèi)置穩(wěn)壓管

◆SOT23-6 封裝

應(yīng)用領(lǐng)域

◆電動(dòng)車(chē)，摩托車(chē)燈照明

◆汽車(chē)燈照明

◆手電筒

芯片應(yīng)用原理圖：

33W LED車(chē)燈產(chǎn)品樣版明細(xì)

?