ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動逆變器、全橋驅(qū)動逆變器等領(lǐng)域。

ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點

■ 浮動工作電壓可達600V

■ 拉灌電流典型值210mA/360mA

■ 兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平

■ dV/dt抗干擾能力±50 V/nsec

■ 芯片工作電壓范圍10V~20V

■ VCC和VBS具有欠壓保護功能

■ 防直通邏輯保護，死區(qū)時間典型值520ns

■ 所有通道延時匹配功能

IR2104國產(chǎn)替代芯片ID7U603SEC-R1可用于驅(qū)動2個N型功率MOSFET和IGBT構(gòu)成的半橋拓撲結(jié)構(gòu)，ID7U603SEC-R1是一塊驅(qū)動芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個MOS管，因此采用半橋驅(qū)動芯片時，需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。

ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高壓半橋柵極驅(qū)動浮動工作電壓可達600V，10-20V 寬范圍工作電壓范圍，輸入兼容 3.3V、5V 邏輯工作電平，拉灌電流典型值210mA/360mA，具有防直通保護及欠壓保護功能，可兼容代換IR2104，典型應(yīng)用于高壓風(fēng)機和泵、步進馬達等領(lǐng)域，更多國產(chǎn)替料ID7U603規(guī)格書、電路圖等資料請向驪微電子申請。>>