硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術的未來。TSV互連的結構是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔，然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前，銅基TSV是最具成本效益的大規模生產TSV。一旦過孔的頂部和底部都暴露出來，用銅填充的過孔就可以通過晶片提供互連。這提供了由晶片隔離和保護的堅固耐用的互連。它還提供了使用小得多的體積的互連，同時減少了對與現代微電子封裝相關的大多數封裝的需求。本工作使用兩種方法生產銅基TSV，即ADE方法和盲孔方法。ADE方法引入了一種獨特的工藝，該工藝可能與后微電子制造兼容。對兩種方法制造的TSV進行橫截面分析，結果表明成功形成了固體銅TSV。

隨著現代微電子技術的封裝尺寸迅速縮小，摩爾定律開始準確地描述集成電路所能容納的技術數量的限制。單電子晶體管的開發，如SketchSET；然而，這讓我們看到了晶體管縮放的終結[1]。隨著摩爾定律的終結，一種更新的方法出現了，稱為“不止摩爾”。這一新趨勢試圖通過減小設備的封裝尺寸來改進系統。這最終提供了更高的組件密度。這將電子世界從經典的多芯片模塊（其中多個芯片用于不同的功能）轉變為片上系統（SOC）模型，該模型將所有東西集成到單個芯片中。然而，用目前的傳統方法生產這種芯片可能是困難的。

封裝尺寸的主要限制因素之一來自芯片的互連?，F代技術大量使用引線鍵合，這可能需要很少的材料體積，但由于使用引線鍵，它們浪費了更多的三維空間。這是因為沒有什么能與它們接觸，迫使它們在空間上與芯片和彼此分離。此外，它們必須使用更多的材料進行電氣隔離。引線鍵合的主要替代方案是利用硅通孔（TSV）。TSV是穿過晶片或芯片的互連，允許通過襯底的電連接。這項技術正開始在許多不同的設備中進行商業應用，它在包括相機[2]、攝像機和DRAM在內的許多潛在應用中顯示出了良好的前景。

機械鉆孔在微觀尺度上和在宏觀尺度上是一樣的。它使用的鉆頭比所鉆的孔小，并且由足夠堅固的材料制成，以承受與鉆孔相關的力（即硬質合金）[17]。機械鉆孔的縱橫比可以>10，盡管特征尺寸必須大于300μm，并且粗糙度被認為是“平均值”[18]。平均側壁粗糙度是由于鉆頭的不均勻性，以及可能由于鉆孔力/磨損而產生的微變形。盡管縱橫比和粗糙度可能適用于TSV程序，但特征尺寸太大，在商業上不可行。

審核編輯 黃宇