碳化硅，或SiC，作為一種半導體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。

碳化硅的本質

碳化硅可能不常與半導體器件聯(lián)系在一起，但它已經(jīng)存在多年。在20世紀20年代甚至更早的水晶收音機時代，就已經(jīng)開始使用碳化硅或者叫碳化硅晶體作為探測器件，這些后來演化為了第一批廣泛應用的硅碳（SiC）二極管。

碳化硅是通過高溫下將二氧化硅（硅的一種形式）與碳結合而成的。通過精煉和加工，制備出碳化硅器件所需的原始材料。這些電子元件可以包括SiC二極管、SiCFET或SiC MOSFET等。

由于其特殊屬性，碳化硅如今被廣泛應用于許多功率器件的半導體材料。其關鍵特性之一是極高的擊穿電場強度，這使得制造高電壓半導體器件成為可能，特別是SiC MOSFET。

碳化硅MOSFET的采用

碳化硅技術并沒有像許多其他新技術一樣立即被廣泛采用，它需要時間來發(fā)展和成熟。

盡管碳化硅在電子領域已經(jīng)使用多年，例如20世紀20年代的水晶無線電探測器，甚至更早的無線電信號探測中使用碳化硅（也稱為碳化硅），但要將這項技術變得可行并投入商業(yè)應用還需要一些時間。

碳化硅不像硅那樣易于加工，因此要使這項技術變得可行，不僅需要使其工作正常，還需要降低其制造成本。

多年來，制造成本一直是限制SiC技術采用的一個因素。與同等硅器件相比，碳化硅器件的襯底成本要高得多。此外，材料本身的基本特性和高缺陷密度意味著SiC MOSFET和SiC二極管多年來無法在許多應用中生存下來。

然而，隨著時間的推移，碳化硅技術已經(jīng)進化到了能夠降低缺陷密度并降低加工成本的水平。

因此，2011年1月，Cree公司發(fā)布了首款SiCMOSFET，型號為CMF20120D，額定電壓為1200V，導通電阻為80mΩ，采用TO-247封裝。這一重要的里程碑意味著可行的Si CMOSFET已面世，盡管價格較同類IGBT要高。然而，其在更快的開關速度、更高的效率和更好的熱性能方面的卓越性能意味著許多公司將其用于新的電子電路設計中。

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢

碳化硅MOSFET在許多領域表現(xiàn)出成熟的應用，特別是在電力電子領域，這些領域的開關特性使其特別適用于眾多新的電子電路設計。

SiC MOSFET與傳統(tǒng)的硅MOSFET類似，但有一些設計注意事項需要考慮。以下是SiC MOSFET的一些關鍵優(yōu)勢：

1.高壓擊穿：碳化硅的擊穿電場強度是硅的10倍，因此可以制造更小、電壓更高的SiC MOSFET。這使得在使用更薄的漂移層的同時實現(xiàn)高擊穿電壓成為可能。

2.電流密度：SiC MOSFET提供比硅MOSFET高得多的電流密度，這對于高功率應用至關重要。

3.高溫工作：碳化硅MOSFET可以在更高的溫度下工作，這意味著它們可以利用更高的電流密度，而無需考慮器件的實際溫度。

4.低開關損耗：碳化硅技術使SiC MOSFET具有更低的導通電阻，這導致較低的電阻損耗。

5.高開關頻率：SiC MOSFET具有更高的開關速度，這意味著可以使用更高的開關頻率，從而縮小了電子電路設計的尺寸，降低了成本。

6.反向恢復時間短：SiC MOSFET的反向恢復時間為幾十納秒，遠快于硅MOSFET，這對于提高電路的操作速度非常重要。

SiC MOSFET電路設計注意事項

盡管SiC MOSFET在電子電路設計中表現(xiàn)出色，但也需要考慮一些注意事項：

1.柵極驅動要求：SiC MOSFET需要更高的柵源電壓才能實現(xiàn)低VDS飽和電壓。電子電路設計需要確保提供正確的柵極驅動要求。

2.輸入和輸出隔離：由于SiC MOSFET常用于功率開關應用，輸入和輸出之間需要隔離變壓器，以確保開關信號可以通過輸入端進行。

3.電磁干擾（EMI）：SiC MOSFET的高開關速度會產(chǎn)生電磁干擾，電子電路設計需要考慮這一點。

4.額外的源極引腳：SiC MOSFET中的一些器件具有額外的源極引腳，用于降低雜散電感和電阻的影響，確保輸入電路與輸出隔離。

5.RDS(ON)隨溫度變化：SiC MOSFET的RDS(ON)值在工作溫度范圍內變化較小，這使得它們在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色。

6.高VDS規(guī)格：SiC MOSFET具有高擊穿電壓，可用于許多電源應用，如開關模式電源和電壓轉換器。

7.反向恢復時間：SiC MOSFET的快速反向恢復時間可用于提高電路操作速度，減小電感器和電容器的尺寸。

碳化硅開關模塊

除了基本的SiCMOSFET外，許多公司還提供SiC開關模塊，這些模塊集成了所需的開關電路，包括柵極驅動器、緩沖電路和EMI濾波器等。這些模塊適用于許多電路設計，提供了有效的解決方案，可以縮短設計時間并降低成本。

總之，碳化硅MOSFET代表了半導體技術的未來發(fā)展方向，其卓越性能和適用性使其在眾多電源和功率電子應用中成為理想的選擇。雖然要考慮一些特定的設計注意事項，但它們已經(jīng)在許多領域取得了成功，并為電子電路設計帶來了新的可能性。