安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓
背景介紹
依托于***的光罩(Litho)工藝是半導體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數是影響半導體芯片工藝復雜度及加工成本的關鍵指標。當代溝槽-場截止型IGBT一般采用9-10層光罩進行加工。安建早于2019年即在國內頂尖8-inch晶圓廠成功開發并量產了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術，是國內第一家量產第七代IGBT的國產廠家，并完全擁有相關自主知識產權。
技術突破
近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉移至國內頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產廠家。此項技術突破表征了安建在國內IGBT芯片及加工工藝設計方面的雙重技術領先優勢。
產品特點
下圖為安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓。
光罩層數的減少并未對器件性能、堅固性及可靠性造成任何影響。下圖為采用上述晶圓封裝的第七代1200V-25A PIM模塊，型號為JG1A25P120DG2(pin-to-pin兼容國外進口的第七代EasyPIM-1B模塊)。相應的模塊產品已通過工業變頻及伺服驅動等客戶測試認證。
相應模塊在某知名客戶4kW高頻電機變頻器(載頻16kHz)完全通過各類極限工況測試，測試結果如下：
驅動波形：
相間短路波形：
1s急減速測試波形：
審核編輯：湯梓紅
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原文標題：安建首發-七層光罩12英寸第七代IGBT
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