我們從磁場基本原理可以知道，磁力線或磁通總是閉合的，磁通和電路中電流一樣，總是在低磁阻的通路流通，高磁阻通路磁通較少。凡是磁通(或磁力線)經過的閉合路徑稱為磁路。

假設在一磁導率為μ、截面積為S的環形磁芯上，平均磁路長度為L，繞有N匝線圈，在線圈中通入電流I，在磁芯建立磁通。同時假定環的內徑與外徑相差很小，環的截面上磁化是均勻的。那么磁動勢的表達式如式1：

F = NI

式1

根據安培環路定理以及H = B/μ（H——磁場強度，B——磁感應強度，μ——磁導率），可得式2：

F = NI = HL = BL/μ

式2

因為磁感應強度B = Φ/S(Φ——磁通量)，可得式3：

F = NI = HL = BL/μ = ΦL/μS = ΦRm

式3

Rm為磁阻，與磁路長度L成正比，與磁路截面積成反比,如式4：

Rm = L/μS

式4

到此，式5即為磁路的歐姆定律：

F = ΦRm

式5

我們可以把磁動勢F類比為電路中的電動勢E，磁通量Φ類比為電流I，磁阻Rm類比為電阻R。

在國際單位制（SI）中，磁阻Rm單位為安/韋或者1/H。根據式1可以知道磁動勢的單位是安匝（AT）。

引入磁路以后，要說明一點，磁路的計算依舊符合基爾霍夫的兩個基本定律。磁路基爾霍夫第一定律可表述為：磁路中任意節點的磁通之和為0。如式6：

∑φ=0

式6

在此我們引入磁壓降Um，在磁路中，磁阻兩端的磁位差稱為磁壓降Um?？捎墒?計算：

Um = ΦRm = BS* L/μS = HL(安匝)

式7

磁路基爾霍夫第二定律為：沿某一方向的任意閉合回路的磁動勢的代數和等于磁壓降的代數和。如式8：

∑NI = ∑ΦRm

式8

結合安培環路定律還可以得到式9：

∑NI = ∑HL

式9

磁路雖然在形式上可以將場的問題等效為電路來考慮，但與電路存在以下根本不同：

(1)電路中，在電動勢的驅動下，存在著電荷在電路中流動，并因此引起電阻的發熱。而磁路中磁通是伴隨電流存在的，對于恒定電流，在磁導體中，并沒有物質或能量在流動，因此不會在磁導體中產生損耗。即使在交變磁場下，磁導體中的損耗也不是磁通“流動”產生的。

(2)電路中電流限定在銅導線和其他導電元件內，這些元件的電導率高，比電路的周圍材料的電導率一般要高10^12倍以上(例如空氣或環氧板)。

因為沒有磁“絕緣”材料，周圍個質(例如空氣)磁導率只比組成磁路的材料的磁導率僅低幾個數量級。磁導體周圍空氣也形成磁路的一部分，有相當一部分磁通從磁芯材料路徑中發散出來，并通過外部空氣路徑閉合，稱為散磁通。

一般情況下，在組成磁路的磁芯中各個截面上的磁通是不等的。（“散磁通”是指所有不經過整個磁芯磁路的磁通。）

(3) 在電路中，導體的電導率與導體流過的電流無關。而在磁路中，磁路中磁導率是與磁路中磁通密度有關的非線性參數。即使磁通路徑鐵磁結構保證各處截面積相等，但由于有散磁通存在，在磁芯中各截面的磁通密度仍不相等。

磁芯材料非線性使得各截面μ不同，導致相同的磁路長度，會出現不同的磁壓降。通常需要由磁通求磁阻，又由磁阻求磁通反復試探，作出系統的磁化曲線，這樣工作量很大。雖然空氣的磁導率是常數，但氣隙磁場與結構有關，很難準確計算。