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是德科技和Ansys攜手為4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

actSMTC ? 來源:是德科技快訊 ? 2023-10-10 18:22 ? 次閱讀

新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程,提供了開放、高效的射頻設計解決方案

強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統的性能和功率效率

綜合流程可提高設計效率,實現更準確的仿真,從而更快將產品推向市場

2023年10月9日,是德科技(Keysight Technologies,Inc.)、新思科技公司(Nasdaq:SNPS)和 Ansys 公司(Nasdaq:ANSS)宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。

N4PRF 制程是半導體代工企業臺積電所擁有的先進 4 納米(nm)射頻(RF)FinFET 制程技術。這個參考流程是以新思科技的定制設計產品系列為基礎而構建,提供了完整的射頻設計解決方案,以滿足客戶對開放式射頻設計環境以及更高預測準確度和設計效率的需求。

該參考流程為設計人員提供了出色的解決方案選項,并且成功集成了是德科技的射頻集成電路(RFIC)設計與交互式電磁(EM)分析工具,以及 Ansys 的 EM 建模和電源完整性簽核解決方案。

下一代無線系統將具有更大帶寬,支持更多設備聯網,其通信延遲更短,并且覆蓋范圍更廣。用于無線數據傳輸的射頻集成電路(如收發信機和射頻前端元器件)設計變得越來越復雜。

面對更高的電路頻率、更小的尺寸和復雜的版圖相關效應,通過物理方式研發高速設計的傳統方式將遇到重重挑戰。為了實現先進的性能和強健的產品可靠性,設計人員需要更準確、更全面的建模及仿真功能。

臺積電 N4PRF 設計參考流程可在新思科技定制編譯器 設計和版圖環境中,使用低噪聲放大器(LNA)和 LC 調諧壓控振蕩器(LC VCO)等關鍵設計組件對設計進行嚴格驗證,從而有效縮短設計交付時間,提高版圖設計效率。參考流程配備了先進的工具,可實現高效的無源器件合成、EM 模型提取、包含器件金屬的熱感知電遷移分析,以及支持正確處理電感電路(CUI)結構的版圖后期提取。

除了新思科技定制編譯器之外,這個開放的現代參考流程還包括:Synopsys PrimeSim 仿真工具和 PrimeSim 可靠性環境,可提供簽核準確度電路仿真;以及 Synopsys IC Validator 和 Synopsys StarRC,可提供簽核實體驗證和提取解決方案。

Ansys Totem 可提供熱感知簽核電遷移驗證和電源完整性分析(EM/IR)。

RaptorX 和 Exalto 提供電磁建模功能,并具有獨特的 CUI 功能,可顯著減少空間占用。

VeloceRF 針對多層螺旋電感器、平衡-不平衡轉換器/變壓器和傳輸線等電磁器件提供了全自動芯片版圖合成。Keysight PathWave ADS RFPro 則提供了快速、交互式的電磁電路聯合仿真和分析,可協助設計人員在開發期間提前發現并修復版圖相關效應。

PathWave RFIC 設計(GoldenGate)支持在早期芯片設計和驗證過程中進行諧波平衡仿真。

是德科技副總裁兼 EDA 事業部總經理 Niels Faché 表示:“是德科技、新思科技和 Ansys 已經擴大與臺積電的戰略技術合作,為臺積電先進的 4nm 射頻技術提供更高水平的射頻設計能力。我們目睹了射頻設計人員使用前幾代解決方案和流程的各種不便,這些舊解決方案和流程已經無法滿足如今的 WiFi-7 片上系統和射頻子系統設計需求。要應對新的版圖相關效應,設計人員必須具備詳細的仿真和建模能力,并且必須能夠準確簽核。其他商用工具和工作流程無法滿足如臺積電這類頂尖芯片制造企業的嚴苛要求,通常也沒有能力對包含數百個耦合信號端口的現代模擬設計進行建模。”

新思科技戰略與產品管理 EDA 集團副總裁 Sanjay Bali 表示:“新思科技、Ansys 和是德科技一直利用在定制模擬、射頻和多物理場設計方面數十年的專業技術,為我們共同的客戶降低風險,并幫助他們加速實現成功。我們與 Ansys 和是德科技最近再次攜手,為臺積電先進 N4P 制程提供新的射頻設計參考流程。這是一個開放、優化的流程,可為先進 WiFi-7 系統提供高質量的結果。”

Ansys 公司電子、半導體光學業務副總裁兼總經理 John Lee 表示:“隨著射頻頻率攀升至毫米波和亞太赫茲范圍,多物理場為我們的客戶帶來了新的挑戰,包括優化功率、空間占用、可靠性和性能等等。客戶想要一次就設計出成功的產品,需要在整個設計流程中都采用高性能的解決方案。我們與是德科技和新思科技正在攜手與臺積電開展緊密合作,將我們先進的電源完整性和電磁建模技術引入定制設計流程中,從而滿足高速電路設計人員的需求。”







審核編輯:劉清

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原文標題:是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

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