兆易創(chuàng)新“一種NAND閃存芯片的測試樣本”專利獲授權(quán)
兆易創(chuàng)新科技有限公司對“一種NAND閃存芯片的測試樣本”申請專利（專利稅公告為10月10日，專利稅公告為cn108242252b。
根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成，每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不同的擦除次數(shù)。在多個相同的樣本區(qū)域中，任意兩個相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
該發(fā)明實施例多個相鄰的數(shù)據(jù)塊構(gòu)成對區(qū)域的其他音次數(shù)的測試樣品，樣品測試在一定的間隔均勻地分布在同一樣本區(qū)域團芯片實現(xiàn)多種擦寫次數(shù)的測試測試不僅降低了成本，同時另一個擦寫的普及次數(shù)測試nand閃存的基本性能進行評價。
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