上拉電阻和下拉電阻作用

在開關(guān)電源中，MOS管的柵極通常會加一個上拉電阻或下拉電阻，一般是在Nmos管上面加一個下拉電阻，在pmos管上面會加一個上拉電阻。這個電阻的阻值一般會選取10K左右。這個電阻主要有三個作用。 第一個作用就是上電的時候，給MOS管的柵極一個確定的電平。MOS管上電前很短一段時間柵極是一個高阻的狀態(tài)，這時就很容易受到干擾。如果這時NMOS管受到一個高電頻的干擾，pmos管受到一個低電頻的干擾。那么上電的時候會有那么一個瞬間MOS管是一個導(dǎo)通的狀態(tài)，這個狀態(tài)是不受控制的，很容易把開關(guān)管燒壞。為了防止這個現(xiàn)象的產(chǎn)生，就會在nmos的柵極加一個下拉電阻，在pmos的柵極加一個上拉電阻，這樣上電的時候，這個MOS管的柵極就不是一個高阻的狀態(tài)，而是一個確定的電平了。這樣這個MOS管在上電的時候一直是一個關(guān)閉的狀態(tài)，直到單片機控制它的開關(guān)。

第二個作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當(dāng)我們斷電時，由于這個寄生電容沒有放電路徑，這個MOS管還會處于一個導(dǎo)通狀態(tài)，那么我們下次上電時，這個導(dǎo)通狀態(tài)就是不受控制的，也會造成MOS管擊穿燒壞，所以要加一個上拉或者下拉電阻，就是給我們這個GS間的寄生電容提供一個放電的路徑。這樣MOS管斷電就會是一個穩(wěn)定的關(guān)閉狀態(tài)。

第三個就是為了防止靜電擊穿。在MOS管的柵極和源極之間。很容易因靜電而積累到電荷。當(dāng)這個MOS管的柵極處于一個高阻狀態(tài)的時候，會很容易積累一些靜電電荷在上面，當(dāng)靜電電荷積累到一定程度的時候，就會在GS間形成一個很高的電壓，使MOS管柵極因擊穿而損壞?？傊痪湓?，不管是上拉電阻或下拉電阻，就是為了使MOS管的柵極是一個固定的電平。