隨著新能源及智能網聯汽車功能的逐漸增多,以及汽車零部件呈現集成化、小型化發(fā)展趨勢,對元器件的電氣性能、尺寸等也提出了較高要求。選擇高品質、高可靠性、性能領先的車規(guī)級電感對于保證汽車電子產品的穩(wěn)定可靠運行至關重要。為滿足汽車電子領域對低損耗、高可靠性、耐高溫電感的需求,科達嘉推出了車規(guī)級熱壓一體成型電感VSEB-H系列。
產品概述
VSEB-H采用創(chuàng)新的T-core預成型+扁平繞匝底部引線+熱壓工藝。與傳統的電感產品相比,該系列產品線圈尾線直接引出底端做電極無需焊接,解決了傳統電感開路失效風險,降低了短路風險。產品采用了低損耗磁芯材料和熱壓一體成型工藝,使得產品具有低損耗、高可靠性、耐高溫等優(yōu)秀電氣性能。
該系列產品目前涵蓋了04/05/06/07/08系列,電感值0.47~22μH,飽和電流5.60~18.20A。
![wKgZomU7VW2ADprkAAEkvj56Y0A739.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/7F/wKgZomU7VW2ADprkAAEkvj56Y0A739.png)
圖1 VSEB-H產品圖
![wKgaomU7VbOAIY1EAADZGxLZ7Jw791.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/CA/wKgaomU7VbOAIY1EAADZGxLZ7Jw791.png)
表1:產品外觀與尺寸
VSEB-H系列可廣泛應用于以下汽車電子領域:
![wKgaomU7VdSAZLGnAABy4o6R4R8817.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/CA/wKgaomU7VdSAZLGnAABy4o6R4R8817.png)
產品特征
VSEB-H系列特征如下:
- 磁屏蔽結構,高可靠性,應用溫度范圍寬:-55~+155℃
- T-core中柱磁芯,無線圈傾斜現象,可以獲得更加穩(wěn)定的結構和性能
- 熱壓一體成型技術,產品密度和本體強度更好
- 線圈尾線引出端電極設計,無需引線框焊接,完全避免開路風險
- 低損耗合金粉,超低DCR/ACR,優(yōu)秀的飽和電流,電源轉換效率高
- 底面電極結構,避免相鄰器件之間短路風險,占用焊盤面積小,可實現高密度貼裝
產品優(yōu)勢與技術創(chuàng)新
產品優(yōu)勢:
VSEB-H系列采用低損耗合金粉和創(chuàng)新的生產工藝和結構設計,具有超低DCR/ACR,與傳統電感相比,損耗下降30%~55%,極大提升了電源轉換效率。具有高飽和電流、低損耗等特點。DCR、飽和電流、損耗趨勢情況具體如下圖:
![wKgZomU7VgKASwGTAADC0MuxSC8626.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/7F/wKgZomU7VgKASwGTAADC0MuxSC8626.png)
圖3 DCR趨勢圖
![wKgaomU7VhOAA1TuAADH1XaHe0I118.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/CA/wKgaomU7VhOAA1TuAADH1XaHe0I118.png)
圖4 飽和電流趨勢圖
![wKgZomU7Vi6AIPiTAADF8dObsh4151.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/80/wKgZomU7Vi6AIPiTAADF8dObsh4151.png)
圖5 損耗趨勢圖
技術創(chuàng)新:
VSEB-H系列不僅具有優(yōu)異的DCR特性、飽和、溫升特性,還通過生產工藝及設計創(chuàng)新,解決了行業(yè)中普遍存在的產品內部開裂、線圈歪斜變形,短路及開路等技術難題。
1、T-core結構+熱壓一體成型工藝
T-core固定線圈防止在受壓時線圈傾斜;采用熱壓一體成型技術,使得壓力較傳統冷壓降低20%以上。有效解決產品內部開裂分層、線圈傾斜與變形問題。
![wKgaomU7VkWASJJvAAFhKNzHx8U034.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/CA/wKgaomU7VkWASJJvAAFhKNzHx8U034.png)
2、底部電極結構
產品線圈后尾線經過T-core底部后折腳處理,將線圈與電極一體化,提高了產品的可靠性。另外,底部電極產品尺寸更小,降低整體封裝尺寸,提高貼裝密度。
![wKgZomU7VlKALu85AAGY0vbxmXg335.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/80/wKgZomU7VlKALu85AAGY0vbxmXg335.png)
3、可實現更低的電阻
L-type電感產品側面有一段電極,電阻約0.4~0.8mΩ。相對而言,VSEB-H Bottom電感僅電極電阻一項就小0.8~1.6mΩ。
![wKgZomU7VmmAKxG6AAIiiUzTljM713.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/80/wKgZomU7VmmAKxG6AAIiiUzTljM713.png)
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4、實現更好的性能
a.扁平線繞組設計
Bottom電感采用扁線(長方形)臥繞設計,比L-tape型具有更高的銅線占積率,從而產生更好L值、飽和性能,且線圈層與層之間堆疊緊密不容易進去粉材大顆粒,從而降低短路風險。
![wKgZomU7VnOAHxGRAACh56aoPnY435.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/80/wKgZomU7VnOAHxGRAACh56aoPnY435.png)
b.無引線框架設計
Bottom電感采用無導線框設計,線圈大小不受導線框內切圓限制,從而可以有更大的線圈空間,提升產品飽和性能,降低線圈與引線框接觸短路風險。
![wKgZomU7Vn2AdV3RAAFyUYuDRmo559.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/80/wKgZomU7Vn2AdV3RAAFyUYuDRmo559.png)
除了上述特點,VSEB-H系列電感還能在高溫下(耐155℃高溫,包含自身線圈發(fā)熱)長期工作,熱穩(wěn)定性能出色,產品通過AEC-Q200各項信賴性測試。
審核編輯 黃宇
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