近日，首個采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊在新型半導體二期生產線上順利下線，完成了自包裝、測試及應用老化試驗。

這是納米碳化硅模塊燒結工藝，使用銅鍵合技術，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。

據(jù)武漢開發(fā)區(qū)消息，東風集團以“馬赫動力”新一代800v高壓平臺為基礎的z新半導體硅電石模塊工程將于2021年進行第一階段開發(fā)，2022年12月正式確定為量產工程。智新半導體在成立4年時間里，已受理51項專利申請，其中發(fā)明專利40項，已批準專利20項，其中發(fā)明專利11項。

在此之前的2019年6月，東風公司與中國中車合作成立了智新半導體有限公司，開始自主開發(fā)生產車用igbt模塊。2021年7月將開始批量生產第6代igbt基礎生產線。半導體硅電石模塊二期工程將于2022年第三季度動工，2023年5月動工。當時有消息稱，該項目計劃新建一條車輛段igbt模塊生產線，實現(xiàn)年產30萬輛汽車模塊的生產能力。