從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片

加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊—納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布再度進(jìn)入三星進(jìn)供應(yīng)鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，氮化鎵正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車的市場份額。

Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×1080的Dynamic AMOLED 2X屏，刷新率為120Hz，屏幕峰值亮度高達(dá)1750尼特，同時(shí)配備了康寧大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面則搭載了高通第二代驍龍8移動平臺，8G運(yùn)存和512G存儲空間，使用更加流暢。后置最高達(dá)5000萬像素的3攝鏡頭，帶來更優(yōu)異的影像體驗(yàn)。

為支撐強(qiáng)大的性能，Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池，搭載GaNFast氮化鎵功率芯片的25W充電器（型號為EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量，并在待機(jī)模式下，只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機(jī)到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設(shè)備供電。

納微半導(dǎo)體的GaNFast氮化鎵功率芯片運(yùn)用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓?fù)?/strong>結(jié)構(gòu)中，并憑借著領(lǐng)先的高頻性能，使得充電器體積縮小30%以上。此外，納微的器件具有領(lǐng)先的交付能力、可靠的質(zhì)量和極高可靠性，完美符合三星嚴(yán)格的資質(zhì)要求。