半導體產業(yè)網獲悉：近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。

碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點關注的科技前沿領域攻關項目，憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優(yōu)勢，在中高端新能源汽車中的應用越來越普及。

智新半導體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產項目。碳化硅模塊項目以智新半導體封裝技術為引領，廣泛與中央企業(yè)、高等院校開展合作，從模塊設計、模塊封裝測試、電控應用到整車路試等環(huán)節(jié)，實現(xiàn)關鍵核心技術的自主掌控。目前，碳化硅模塊開發(fā)項目已參與國資委專項課題1項，參與行業(yè)標準制定2項。

該碳化硅模塊，采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。

智新半導體成立4年來，已申請受理專利51項，其中發(fā)明專利40項，已授權專利20項，其中發(fā)明專利11項，并獲得湖北省“高新技術企業(yè)”認證，武漢市專精特新“小巨人”企業(yè)認定。