長江存儲，中國最大的閃存芯片制造商，已向美國存儲芯片巨頭美光提起了專利侵權(quán)訴訟。根據(jù)美國加州北區(qū)地方法院的文件，該法院已于11月9日受理了長江存儲對美光及其子公司的專利侵權(quán)案。

起訴書中指出，長江存儲稱美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用了長江存儲的專利技術(shù)，并以此來保護自己的市場份額并進行市場競爭。長江存儲還指責(zé)美光未為使用這些專利支付合理費用，侵犯了長江存儲的利益，并阻礙了長江存儲的創(chuàng)新動力。此外，長江存儲還指控美光在自己的專利文件中引用了長江存儲的相關(guān)專利，這證明美光認識到長江存儲的專利組合的重要性，但美光并未采取任何實際行動來獲取長江存儲的專利授權(quán)。

此次訴訟旨在解決以下一個方面的問題：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND閃存市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

根據(jù)報道，長江存儲指控美光侵犯了多項美國專利，專利號分別為“10，950，623”、“11，501，822”、“10，658，378”、“10，937，806”、“10，861，872”、“11，468，957”、“11，600，342”和“10，868，031”。

被指控侵權(quán)的美光產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層的3D NAND產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年TechInsights公司對閃存市場進行的分析發(fā)現(xiàn)，長江存儲已超過美光成為3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。

此次長江存儲對美光提起的專利侵權(quán)訴訟具有一定的象征意義。在起訴書中，長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，并得到了行業(yè)和第三方機構(gòu)的廣泛認可。長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量，推動了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。

編輯：黃飛