老生常談我們先結(jié)合手冊認(rèn)識下這個(gè)器件：我們以無錫新潔能的NCE2302為例：

1. 我們看到手冊中標(biāo)注Pb Free Product ：表示本電子元件無鉛；
2. 下圖2中為N溝道的原理圖符號，N溝道MOS管有3個(gè)極，分別是G(柵極)，S(源極)，D(漏極)；注意箭頭方向是從S指向G，同時(shí)內(nèi)部有個(gè)體二極管，方向和箭頭指向一致；
3. 下圖3給我們標(biāo)注了引腳序號對應(yīng)的三個(gè)極，這個(gè)畫封裝焊盤和器件原理圖符號就是根據(jù)這個(gè)來畫的；同時(shí)在器件實(shí)物表面絲印有2302字樣，便于我們區(qū)分；
4. 圖4給我們展示了器件的封裝為SOT23封裝；
5. 下圖5中給了信息當(dāng)加載在GS兩端電壓越高，N溝道MOS管阻抗越低；

下面是在常溫下測試的極限參數(shù)：

1. VDS = 20V，表示DS之間加載電壓差最大不超過20V；
2. VGS = ±12V，表示在GS之間電壓差最大不超過12V，最小不超過-12V；
3. ID = 4A，表示該MOS管漏極持續(xù)電流最大不超過4A；
4. IDM = 10A，表示漏極瞬間電流最大不超過10A；
5. PD = 1W，表示該MOS管額定功率是1W；這個(gè)和三極管一樣都會(huì)受溫度升高而降低，所以選型還是降額選??；
   

下面我們主要關(guān)注標(biāo)注的3點(diǎn)內(nèi)容：

1. VGS(th)表示N溝道MOS管的導(dǎo)通閾值，圖中表示該MOS管的導(dǎo)通閾值在0.85V左右；這個(gè)是低閾值MOS管，好處是低電壓即可驅(qū)動(dòng)；
2. RDS(on)表示MOS管導(dǎo)通時(shí)，DS之間的阻抗大小；
3. Ciss為輸入電容，Coss為輸出電容，Crss為反向傳輸電容，這個(gè)怎么理解，我們舉個(gè)例子：
   

我們看下圖中三個(gè)極間電容：則有

輸入電容Ciss = Cgd +Cgs；

輸出電容Coss = Cds +Cgd；

Crss = Cgd ；Crss也叫米勒電容，米勒電容為啥會(huì)叫這個(gè)名字咧？我們知道MOS管有個(gè)比較有名的效應(yīng)，即米勒效應(yīng)，就是這個(gè)電容影響的結(jié)果；

即我們前端輸入電壓給Cgs充電時(shí)，當(dāng)Cgs兩端電壓小于閾值電壓，MOS管關(guān)閉；

當(dāng)Cgs兩端電壓開始大于閾值電壓時(shí)，ID電流從0迅速增大，同時(shí)當(dāng)進(jìn)入米勒平臺效應(yīng)時(shí)，VGS電壓將保持不變，不再上升，此時(shí)VGS部分電流從米勒電容支路流失，待米勒效應(yīng)過后，VGS繼續(xù)上升到驅(qū)動(dòng)電壓；

為什么介紹這個(gè)米勒效應(yīng)，因?yàn)槊桌招?yīng)增加了導(dǎo)通時(shí)間，即額外增加了MOS管的損耗；這個(gè)我們注意一下

MOS管的損耗有3部分構(gòu)成：

1. 導(dǎo)通損耗；
2. 開啟損耗；
3. 關(guān)斷損耗；

最后總結(jié)下選型要求：

1. 根據(jù)我們驅(qū)動(dòng)目標(biāo)要求和結(jié)構(gòu)空間大小確認(rèn)封裝；
2. 根據(jù)目標(biāo)整體電流，確定額定功率；
3. 根據(jù)電路中電源電壓確認(rèn)目標(biāo)MOS管閾值大小；
4. 根據(jù)成本要求，確認(rèn)最終品牌；

今天就到這里，謝謝大家閱讀支持；