SK海力士預計今年 HBM 芯片出貨量 2030 年可達 1 億顆
11 月 14 日消息，SK 海力士副會長兼聯席 CEO 樸正浩透露，今年公司高帶寬內存（HBM）出貨量大幅增加，預計到 2030 年將達到每年 1 億顆。
昨日下午，在京畿道光州東谷 CC 舉行的共享增長理事會高爾夫錦標賽結束后，樸正浩在致辭中發表了上述講話。
樸正浩在此次高爾夫球賽上分享了 HBM 的經營業績和未來前景。他對供應商代表說：“由于設備投資的減少，整體上會比較困難，但我們將一起渡過難關”。他還強調，公司計劃按計劃于 2027 年開始在龍仁集群工廠生產半導體。
在上月底的第三季度財報電話會議上，SK hynix 表示計劃在今年的基礎上增加明年的設施投資。不過，該公司解釋說，由于需求尚未完全恢復，投資擴張的范圍將是有限的，重點將放在 HBM 上。
該公司表示，用于下一代 HBM3E 上 1b 制程 DRAM 的生產和堆疊的硅直通電壓電極（TSV）相關投資被視為重中之重。
市場對于 SK hynix 第四季度恢復盈利持樂觀態度。分析師認為，由于 HBM 等高端內存銷售強勁，扭虧為盈的速度將快于預期。不過，樸正浩也提醒不要對經濟復蘇和投資擴張過于樂觀，他認為“明年美國經濟惡化的可能性很大。”
審核編輯 黃宇
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