最近合作伙伴發布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片,在這里給大家介紹一下參數和指標,針對應用會在文末給大家一些方向性參考。
雷達前端TRA?240_091是一個集成收發的電路,用于240 GHz操作,帶有片上天線。它包括壓控振蕩器、8分頻器、SPDT開關、9倍頻鏈、倍頻器、混頻器、低噪聲放大器、功率放大器、天線耦合器和集成天線(見下圖)。為了獲得正確的功能,必須在芯片頂部放置一個透鏡。
來自振蕩器的RF信號被放大并通過耦合器饋送到倍頻器鏈和集成天線。來自振蕩器的RF信號也通過放大器和倍頻器。來自天線的RX信號通過混頻器與相乘的LO信號轉換為基帶。13.5-GHz VCO有兩個模擬調諧輸入,具有不同的調諧范圍和調諧斜率。兩個調諧輸入用于獲得45GHz的寬頻率調諧范圍。模擬調諧輸入與集成分頻器和外部小數分頻鎖相環PLL可用于調頻連續波(FMCW)雷達操作。由于振蕩器頻率固定,它可以用于連續波(CW)模式。另外通過模擬調諧輸入,調制方案也是可能的。
240GHz收發器雷達前端(RFE)的主要應用領域是短距離雷達系統需要高范圍分辨率。45GHz的帶寬理論上使雷達在空中的距離分辨率低至6mm,折射率大于1的其他材料的分辨率會比6mm更小。距離分辨率與材料的折射率成反比例。最大測量范圍取決于所用透鏡的增益,可以達到幾米。通過使用透鏡增益越高,距離就越遠。如果比較已經發布的120GHz, 240GHz,300GHz超寬帶芯片在實際應用中的分辨率,下圖給了非常明確的差別,120GHz<240GHz<300GHz。
關于市場上可以應用參考的方向:木質材料和復合材料;復雜的聚合物結構;腐蝕保護金屬板;藥品包裝;蜂窩狀 GFRP 復合結構等等.....
審核編輯:彭菁
-
芯片
+關注
關注
459文章
52308瀏覽量
437909 -
功率放大器
+關注
關注
102文章
3951瀏覽量
134251 -
振蕩器
+關注
關注
28文章
3974瀏覽量
140553 -
天線
+關注
關注
70文章
3273瀏覽量
142082 -
SiGe
+關注
關注
0文章
99瀏覽量
23957
原文標題:240GHz超寬帶在片天線芯片的介紹和應用
文章出處:【微信號:弘模半導體,微信公眾號:弘模半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
HMC365 InGaP HBT 4分頻芯片,DC-13GHz技術手冊

HMC363InGaP HBT 8分頻芯片,DC-12GHz技術手冊

HMC362 InGaP HBT 4 分頻芯片,DC-11GHz技術手冊

HMC361使用InGaP HBT技術,2分頻芯片,DC-11GHz技術手冊

HMC3653 HBT增益模塊MMIC放大器,7-15GHz技術手冊

HMC3587HBT增益模塊MMIC放大器,4-10GHz技術手冊

ADL5726 21.2 GHz至23.6 GHz、低噪聲放大器技術手冊

ADL5724 12.7GHz至15.4GHz、低噪聲放大器技術手冊

ADL5723 10.1GHz至11.7 GHz、低噪聲放大器技術手冊

芯片清洗機工藝介紹
硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅(SOI)的介紹

SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用

【「大話芯片制造」閱讀體驗】+芯片制造過程工藝面面觀
源漏嵌入SiGe應變技術簡介

評論