1.寫在前面

本次仿真的是2018年的論文[1]，無三極管和電阻的，利用CMOS亞閾值導電指數特性做溫度補償替代三極管，極大減小了面積和功耗，能在低壓工作，溫度特性好，但基準輸出值不太好調節。

2.電路原理分析

NM1和NM2產生亞閾電流。NM3和NM4分負溫度系數電壓，NM4的Vds提供Vout的負溫度系數電壓。后面四級級聯結構提供正溫度系數電壓，通過PM10的電流調節正溫度系數的大小。所有MOS管均工作在亞閾值區。

三個核心電路模塊原理如下：亞閾電流產生電路、CTAT負溫電壓降壓電路以及多級PTAT電壓電路。

3.仿真結果

DC溫度特性曲線如下，溫度系數TC=8.203ppm/℃。

trans仿真和電源電壓掃描如下，最低可工作于1.1V。在1.8V電源電壓下，靜態總電流451.961nA。

該結構輸出基準值的調節不方便，但是是個全CMOS基準的好結構，低功耗面積小溫度系數低等優勢明顯。論文中該基準源用于LDO中。