華為、哈工大聯(lián)手：基于硅和金剛石的三維集成芯片專利公布
最近，華為技術(shù)有限公司和哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利被公布為cn116960057a。
摘要本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。硅基的cu/sio2混合結(jié)合樣品和金剛石基礎(chǔ)的cu/sio2混合結(jié)合樣品的準(zhǔn)備后，進(jìn)行等離子體活性。經(jīng)等離子體活性處理后，將cu/sio2混合結(jié)合試料浸泡在有機(jī)酸溶液中清洗后干燥。硅基/或者金剛石基cu/sio2混合結(jié)合樣本的干燥后結(jié)合降低大氣表面氟化氫酸溶液硅基/金剛石基cu/sio2混合結(jié)合使樣本量身定制，預(yù)結(jié)算獲得的芯片，詞典結(jié)合打開壓縮芯片結(jié)合，退火處理，但獲得混合結(jié)合雙樣品。該發(fā)明實(shí)現(xiàn)了以cu/sio2混合結(jié)合為基礎(chǔ)的硅/金剛石的三維異質(zhì)集成。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
等離子體
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
129瀏覽量
14556 -
芯片制造
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
681瀏覽量
29620 -
硅基
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
60瀏覽量
16010
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
大尺寸單晶金剛石襯底制備技術(shù)突破與挑戰(zhàn)
【DT半導(dǎo)體】獲悉，金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周圍的 4 個(gè)碳原子相連接
化合積電推出硼摻雜單晶金剛石,推動(dòng)金剛石器件前沿應(yīng)用與開發(fā)
電力電子和射頻電子。事實(shí)上，金剛石材料本身屬于絕緣體，摻雜是實(shí)現(xiàn)金剛石電性能的重要途經(jīng)。硼摻雜單晶金剛石兼具p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和金剛石自身優(yōu)良的物理和化學(xué)性能，是制備高溫、大功率半導(dǎo)
金剛石-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)涂層介紹
金剛石和石墨烯固有的脆性和缺乏自我支撐能力限制了它們?cè)谀陀脻?rùn)滑系統(tǒng)中的應(yīng)用。
革新突破:高性能多晶金剛石散熱片引領(lǐng)科技新潮流
隨著電子器件越來(lái)越小、功率越來(lái)越高，散熱成為制約性能的“頭號(hào)難題”。傳統(tǒng)材料（如銅、硅）熱導(dǎo)率有限，而金剛石的熱導(dǎo)率是銅的 5倍?以上，堪稱“散熱王者”！但大尺寸高導(dǎo)熱金剛石制備成本高、工藝復(fù)雜
一文解析大尺寸金剛石晶圓復(fù)制技術(shù)現(xiàn)狀與未來(lái)
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天，大尺寸晶圓的高效制備成為推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵因素。而在眾多半導(dǎo)體材料中，金剛石憑借其超寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異電學(xué)性質(zhì)，被視為 “終極半導(dǎo)體”，在電真空器件、高頻
金剛石:從合成到應(yīng)用的未來(lái)材料
金剛石的優(yōu)異性能與廣闊前景 金剛石，因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，被譽(yù)為“材料之王”，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景： 機(jī)械性能：極高的硬度和耐磨性，使其成為切削工具和耐磨涂層的理想材料
探討金剛石增強(qiáng)復(fù)合材料：金剛石/銅、金剛石/鎂和金剛石/鋁復(fù)合材料
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，熱管理材料的需求日益增長(zhǎng)，特別是在電子封裝、高功率設(shè)備等領(lǐng)域。金屬基金剛石增強(qiáng)復(fù)合材料，以其獨(dú)特的性能，成為了這一領(lǐng)域的新星。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討三種金剛石增強(qiáng)復(fù)合材料
歐盟批準(zhǔn)西班牙補(bǔ)貼金剛石晶圓廠
歐盟委員會(huì)近日正式批準(zhǔn)了西班牙政府對(duì)Diamond Foundry位于特魯希略的金剛石晶圓制造廠提供的8100萬(wàn)歐元(約合6.15億元人民幣)補(bǔ)貼。這一決定為Diamond Foundry在該地
探秘合成大尺寸單晶金剛石的路線與難題
金剛石因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景。然而，目前工業(yè)上通過(guò)高溫高壓法批量生產(chǎn)的單晶金剛石尺寸通常小于10毫米，這極大限制了其在許多領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，實(shí)現(xiàn)大尺寸金剛石的合成
金剛石遇上激光:不同激光類型加工效果大揭秘
金剛石加工困難，而激光加工技術(shù)為其提供了解決方案，將激光加工技術(shù)應(yīng)用于金剛石加工，可實(shí)現(xiàn)金剛石的高效、高精度加工。上期我們了解了金剛石的激光加工原理，今天一起來(lái)看看不同激光束類型作用于
金剛石多晶材料：高功率器件散熱解決方案
隨著電子器件功率密度的不斷提升，尤其是在5G通信、電動(dòng)汽車、高功率激光器、雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域，對(duì)高效散熱解決方案的需求日益迫切。金剛石多晶材料憑借其超高的熱導(dǎo)率、優(yōu)異的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，成為高
金剛石/GaN 異質(zhì)外延與鍵合技術(shù)研究進(jìn)展
率密度，但是仍有許多問(wèn)題亟需解決。目前的研究大多是對(duì)器件層或襯底層單獨(dú)的研究，將其高效的結(jié)合起來(lái)，金剛石用于GaN 功率器件的三維散熱，將大幅度降低器件溫度，有望在未來(lái)完全發(fā)揮GaN 的高功率密度高頻率優(yōu)勢(shì)
上海光機(jī)所在提升金剛石晶體的光學(xué)性能研究方面獲新進(jìn)展
圖1.退火前后金剛石的應(yīng)力雙折射、可見吸收光譜(左)和紅外光譜(右) 近日，中科院上海光機(jī)所先進(jìn)激光與光電功能材料部激光晶體研究中心與浙江無(wú)限鉆科技發(fā)展有限公司合作，在提升金剛石晶體的光學(xué)性能研究
金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅的原因
金剛石和晶體硅都是原子晶體，它們的熔沸點(diǎn)主要取決于原子間的鍵合強(qiáng)度。以下是一些關(guān)鍵因素，這些因素決定了金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅： 原子間鍵的類型 ：
金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點(diǎn)怎么比較
金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)碳原子都與四個(gè)其他碳原子通過(guò)共價(jià)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論