在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

jf_pJlTbmA9 ? 來源:Kazuto Mikami, Kenji Hatori, V ? 作者:Kazuto Mikami, Kenji ? 2023-11-23 15:53 ? 次閱讀

未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時,變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應用中滿足這些變流器要求。

作者:Kazuto Mikami, Kenji Hatori, Victor Tolstopyatov, Nils Soltau

簡介

2020 年,三菱電機宣布推出額定電壓3.3kV的HV100功率模塊[1],采用X系列芯片組。如圖1所示,HV100封裝易于并聯(lián),換流雜散電感低,絕緣電壓為10.2kV,具有很高的靈活性。該封裝設計初衷是為了滿足未來鐵路變流器的要求[2]。最近,三菱電機又發(fā)布了一款額定電壓為4.5kV、額定電流為450A的HV100功率模塊。本文將介紹這款新器件——CM450DE-90X,對比其與傳統(tǒng)功率模塊的優(yōu)勢,并展示其適用鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應用的主要特性。

wKgZomVdamiAUf_kAAEXhuIPffc127.jpg

圖1:HV100封裝功率模塊

CM450DE-90X采用三菱電機最新一代4.5kV X系列芯片,包括CSTBT?(III)和RFC二極管。這確保了低損耗、平滑的開關波形和過流工況下的高魯棒性。

HV100的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示。兩個直流端子位于功率模塊的一側(cè),而兩個交流端子則位于另一側(cè)。這樣可以實現(xiàn)與直流母線電容的低電感連接和更簡潔的變流器布局。中間位置為柵極驅(qū)動板提供了空間。當HV100功率模塊并聯(lián)時,驅(qū)動端子方便連接。可在并聯(lián)IGBT模塊的上面安裝一塊PCB板,來控制所有模塊。此外,這種設計還可以通過增加(或減少)并聯(lián)模塊的數(shù)量來調(diào)整輸出功率。

HV100封裝采用MCB底板(Metal Casting direct Bonding,金屬鑄造直接鍵合)。它可以降低熱導率,從而提高功率密度。與采用AlSiC底板的傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)相比,結(jié)到殼的熱阻降低了約30%。此外,MCB底板避免了底板焊接,而底板焊接層是傳統(tǒng)功率模塊封裝中熱循環(huán)壽命的制約因素。

wKgaomVdammANBGkAAEsWnOZC3Q240.jpg

圖2:采用MCB底板結(jié)構(gòu)的HV100功率模塊截面圖

更高的功率密度

下面將比較CM450DE-90X與傳統(tǒng)190x140mm2功率模塊的輸出功率。例如,比較對象是兩個傳統(tǒng)封裝的CM1350HG-90X單管IGBT模塊和三個并聯(lián)的CM450DE-90X半橋模塊,兩者額定電流相同。盡管額定電流相同,但圖3顯示HV100功率模塊占用的散熱面積減少了約20%。

wKgaomVdamuANgNOAAHbexBsOBY491.jpg

圖3:在相同額定電流下,HV100和傳統(tǒng)封裝的半橋結(jié)構(gòu)尺寸比較

直流母線和半導體芯片之間的雜散電感是影響功率模塊開關特性的因素之一,會嚴重影響其開關動作。高寄生電感會延長開通和關斷過程,并導致關斷時產(chǎn)生更高的電壓尖峰。上述兩種情況都會增加IGBT模塊的開關損耗。由于HV100實現(xiàn)了更低的雜散電感,因此開關速度更快,開關損耗更低。與傳統(tǒng)封裝相比,4.5kV HV100在逆變模式(即圖4a中的正功率因數(shù))和制動模式(即圖4b中的負功率因數(shù))下可將變流器總損耗分別降低17%和18%[3]。

wKgZomVdanGADSzpAAC1TKlWnpM588.jpg

圖4:變流器損耗計算結(jié)果

使用MelcoSim Ver.5.4.1[4],計算三個CM450DE-90X并聯(lián)與CM1350HG-90X和CM1200HG-90R(前一代R系列)的輸出電流能力。結(jié)果如圖5所示,與之前的R系列HVIGBT模塊相比,X系列模塊降低了損耗、優(yōu)化了熱阻,允許的最高工作溫度也提高到Tj=150℃。由于上述因素,CM1350HG-90X模塊的可輸出電流比CM1200HG-90R增加了約17%。如果使用新型HV100半橋模塊CM450DE-90X(三個并聯(lián)),則可再增加12%。這是由于降低了開關損耗以及MCB底板優(yōu)化了熱阻。

wKgaomVdaniAC-RBAAFtUvinYFU675.jpg

圖5:R系列HVIGBT、X系列HVIGBT和4.5kV HV100 HVIGBT的輸出電流與載波頻率之間的關系(條件:SPWM,Vcc=2800V,PF=+0.85,M=1,TS=80℃,Tj=Tjop)

并聯(lián)運行

如前所述,HV100封裝是專為更簡單的并聯(lián)連接而設計的,并聯(lián)時,優(yōu)化的端子布局方便連接母線電容和交流輸出。下面將測量兩個并聯(lián)CM450DE-90X之間的均流情況。圖6展示了測試裝置,通過它可以測量N側(cè)IGBT的單獨電流。測試在室溫、Vcc=2800V、總電流IC,total=900A(每個功率模塊450A)和柵極電壓VGE=±15V的條件下進行。

wKgZomVdanmAdIEwAAGqO2biw1A191.jpg

圖6:測量兩個并聯(lián)CM450DE-90X之間均流的測試裝置

圖7(a)和(b)分別顯示了兩個功率模塊在關斷和開通時的均流情況。測試結(jié)果表明,電流在兩個功率模塊之間均勻分布,從而很好地利用了芯片面積。

需要注意的是,評估中使用的兩個模塊在特性上差異較小。關于功率模塊參數(shù)變化對并聯(lián)的影響,請參閱[5]。

wKgaomVdanuAKv29AAF1EsD0IRU508.jpg

圖7:兩個并聯(lián)CM450DE-90X的均流(條件:Vcc=2800V,IC,total=900A,VGE=±15V,Tj=25℃,N-side)

高雜散電感下的開關

建議使用低雜散電感Ls的直流母線,以減少開關損耗和關斷時的過電壓。然而,并不是所有的變流器設計都能實現(xiàn)低Ls值。在某些情況下,例如在多電平變流器中,存在較高的Ls,應保證功率模塊也能安全可靠運行。圖8顯示了4.5kV HV100在Ls=100nH和400nH條件下關斷時的開關波形。可以看出,即使Ls高達400nH,最大VCE電壓也僅達到3600V左右。有關高雜散電感的進一步測量結(jié)果,請參見[3]。總之,CM450DE-90X即使在雜散電感較高的情況下也能正常工作,其VCES有足夠的余量,并且不會產(chǎn)生振蕩。

wKgZomVdaoGAC1S5AAEFbnl2fAU882.jpg

圖8:分別在Ls=100nH和Ls=400nH情況下,比較4.5kV HV100的開關波形(條件:Vcc=2800V,Ic=450A,VGE=15V,Tj =150℃)

過電流時的魯棒性

功率模塊的魯棒性是變流器主要要求之一,尤其是在鐵路或電力系統(tǒng)等責任重大的應用場合。RBSOA(反偏安全工作區(qū))是評估IGBT模塊魯棒性的典型方法。該特性顯示了功率模塊在IGBT關斷時承受一定電壓和電流的能力。圖9中用黑色曲線顯示了CM450DE-90X規(guī)格書限定的RBSOA。該圖中,實際型式試驗測量結(jié)果以橙色曲線顯示。經(jīng)證實,CM450DE-90X樣品即使在2700A(6倍額定電流)的情況下也未發(fā)生故障。這證明了CM450DE-90X的魯棒性,在可能發(fā)生的意外過流工況時,為變流器制造商和終端用戶提供更大的安全裕量。

wKgaomVdaoOAEHE_AADJasRWAvo298.jpg

圖9:規(guī)定的RBSOA和評估結(jié)果(Vcc=3400V,Tj=150℃)

總結(jié)

本文介紹了采用HV100封裝的新型4.5kV/450A功率模塊CM450DE-90X。該功率模塊采用MCB底板和最新一代芯片,具有10.2kV絕緣電壓和卓越性能。特別是在增加功率密度、方便并聯(lián)和過流工況下的魯棒性等方面進行了討論。事實證明,CM450DE-90X能夠滿足未來變流器的要求。

新型CM450DE-90X擴展了LV100/HV100產(chǎn)品陣容。除CM450DE-90X外,還有額定電壓為1.7kV和3.3kV的其他功率模塊可供選擇。表1列出了LV100/HV100完整產(chǎn)品系列。

wKgZomVdaoqAA3k8AAC2cJVGMeg355.jpg

表1:HV100和LV100功率模塊陣容

參考文獻

[1]Mitsubishi Electric Corporation, Mitsubishi Electric to Launch HV100 dual type X-Series HVIGBT Modules, Tokyo, Japan, 2020.

[2]N. Soltau, E. Wiesner, R. Tsuda, K. Hatori and H. Uemura, "Demands by Future Railway Converters and How They Change Power Semiconductor Modules," in Bodo's Power Systems, Jul 2021.

[3]K. Mikami, K. Hatori and N. Soltau, "4.5 kV HV100-type HVIGBT Module for Large Industrial Equipment," in PCIM Europe, Nuremberg, Germany, 2023.

[4]Mitsubishi Electric Corporation, "Mitsubishi Electric Power Module Loss Simulator Melcosim," [Online]. Available: [Accessed 19 May 2023].

[5]Y. Ando, J. Sakai, K. Hatori, N. Soltau and E. Wiesner, "Influence of IGBT and Diode Parameters on the Current Sharing and Switching-Waveform Characteristics of Parallel-Connected Power Modules," in 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe), Hanover, Germany, 2022.

關于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2023年3月31日的財年,集團營收50036億日元(約合美元373億)。作為一家技術(shù)主導型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導體已有60余年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關注

    關注

    1269

    文章

    3842

    瀏覽量

    250208
  • 變流器
    +關注

    關注

    7

    文章

    279

    瀏覽量

    33164
  • 功率密度
    +關注

    關注

    0

    文章

    90

    瀏覽量

    16926
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領域的應用

    制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進行了優(yōu)化 。
    發(fā)表于 10-28 17:32 ?4134次閱讀
    <b class='flag-5'>4.5kV</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>/二極管芯片組在高壓直流輸電領域的應用

    如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設計

    ,高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標準封裝,產(chǎn)品兼容性更廣。其次,產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小,只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三,技術(shù)指標有重大改善,特別是效率提高到90%.第四
    發(fā)表于 01-25 11:29

    650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現(xiàn)最大功率密度

    40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對
    發(fā)表于 10-23 16:21

    什么是功率密度?如何實現(xiàn)高功率密度

    什么是功率密度功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度
    發(fā)表于 03-11 06:51

    什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?

    什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
    發(fā)表于 03-11 08:12

    如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

    如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度
    發(fā)表于 04-25 07:40

    4.5kV/4.0kA IGCT功率相單元測試平臺設計

    作為一個新型電力電子器件,集成門極換向晶閘管(IGCT)在大功率高壓變流器中得到了廣泛的應用。本文介紹了一個 4.5kV/4.0kA IGCT 功率相單元測試平臺工作原理和實驗方案,并且在不
    發(fā)表于 04-08 15:42 ?13次下載

    如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

    功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導體重要的設計目標。
    的頭像 發(fā)表于 05-31 09:47 ?2507次閱讀
    如何<b class='flag-5'>提高</b>器件和系統(tǒng)的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    功率器件的功率密度

    功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導體重要的設計目標。
    的頭像 發(fā)表于 02-06 14:24 ?2484次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    如何提高系統(tǒng)功率密度

    功率器件領域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙
    的頭像 發(fā)表于 05-18 10:56 ?1346次閱讀
    如何<b class='flag-5'>提高</b>系統(tǒng)<b class='flag-5'>功率密度</b>

    IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級IGBT功率模塊的散熱方式

    IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力,良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可
    的頭像 發(fā)表于 08-23 09:33 ?2065次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>散熱基板的作用及種類 車規(guī)級<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>的散熱方式

    如何提高4.5 kV IGBT模塊功率密度

    未來對電力電子變流器的要求不斷提高功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時,變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型
    的頭像 發(fā)表于 10-17 10:50 ?955次閱讀
    如何<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>4.5</b> <b class='flag-5'>kV</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
    的頭像 發(fā)表于 12-01 16:35 ?570次閱讀
    使用集成 GaN 解決方案<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>

    采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例

    采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:06 ?1103次閱讀
    采用<b class='flag-5'>IGBT</b>7高<b class='flag-5'>功率密度</b>變頻器的設計實例

    TPS25981-提高功率密度

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-26 09:34 ?1次下載
    TPS25981-<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>
    主站蜘蛛池模板: 萌白酱白丝护士服喷水铁牛tv | aaaa一级片| 手机看片福利国产 | 在线观看黄色x视频 | 欧美日韩一区二区视频图片 | 天天摸天天躁天天添天天爽 | 国产亚洲精品久久久极品美女 | 午夜影院免费视频 | 在线免费看视频 | 午夜国产片 | 乱j伦小说在线阅读 | 亚洲第一黄色网址 | 伊人精品视频在线 | 玖玖在线国产精品 | 69堂在线观看国产成人 | 日本高清一区二区三区不卡免费 | 男人和女人做免费做爽爽视频 | 黄色w站| 欧美最猛黑人xxxx黑人猛交69 | 我把美女日出白浆 | 爱爱小视频免费看 | 爱爱帝国亚洲一区二区三区 | 国产精品好好热在线观看 | 综合啪啪 | 天天爆操 | 老师你好大好白好紧好硬 | 亚洲一级毛片免费观看 | 欧美日韩亚洲色图 | 午夜性视频播放免费视频 | 欧美满足你的丝袜高跟ol | 天天干天天要 | 天天透天天干 | 欧美色淫 | 国产一区二区在线视频播放 | 韩国三级hd中文字幕久久精品 | 免费在线黄色网址 | 免费的两性视频网站 | 深爱激情站 | 天天做日日爱 | 性free3d| 天天射美女 |