我們以ST的LM339DT為例，來了解下比較器選型：

對于圖中1：此LM339DT有3種封裝類型，共14個引腳，我們選擇適合自己的；

對于圖中2：此芯片支持單電源和雙電源供電，單電源以最低2V到最高36V，或者雙電源最低正負1V到最高正負18V，即芯片GND接負電源，VCC接正電源；通常我們用單電源供電，比如5V，12V，15V，18V，24V；我們根據(jù)我們設(shè)計電路中供電選擇合適的電壓；

對于圖中3：這個芯片的損耗電流在1.1mA左右；

對于圖中4：此芯片輸入偏置電流典型值為25nA，我們可以根據(jù)這個值來設(shè)計輸入端的分壓電阻，設(shè)計基準就是前級電路電流至少大于偏置電流1個數(shù)量級，保證前級分壓穩(wěn)定性；

對于圖中5：此芯片的輸入失調(diào)電流和輸入電壓，這2個參數(shù)可以解釋芯片內(nèi)部的對稱性，失調(diào)參數(shù)越小，比較器越精準；

對于圖中6：告訴我們此芯片在飽和導通輸出低電平時，輸出并不是0V，而是250mV;

對于圖中7：我們知道這個芯片是集成了4路獨立的精密比較器；

我們再看下圖：下面是此芯片附帶的芯片內(nèi)部框圖，我們?nèi)绻胍钊肓私膺@個芯片的功能，我們可以研究內(nèi)部設(shè)計電路；基本每個手冊都有；

我們再看下極限參數(shù)：

1. 雙電源供電最高正負18V，單電源供電最大36V；
2. 內(nèi)部晶圓到外界環(huán)境的熱阻，三個不同封裝的都有，單位為℃/W，意思是每上升1W，芯片溫度上升的度數(shù)；我們可以根據(jù)這個參數(shù)來估算在實際電路中芯片的內(nèi)部結(jié)溫；
3. 內(nèi)部晶圓到外殼的熱阻，我們可以用熱電偶測量芯片表面實際溫度，再通過在電路中實際消耗功率來估算芯片內(nèi)部結(jié)溫；
4. 芯片的儲存溫度范圍，在存儲時我們要根據(jù)各個芯片的儲存要求來控制倉庫內(nèi)的溫濕度；
5. 芯片的內(nèi)部結(jié)溫最高不超過150℃；
6. 此芯片在焊接時，要求260℃，焊接時間不超過10s；
7. 此芯片的ESD靜電等級；

我們再看最后一個比較重要的就是響應(yīng)時間：

就是我們在輸入電壓時，和參考電壓比較后，電壓從0上升到高的時間；或者從高到0的時間，這個我們需要關(guān)注下，在低頻中不會影響我們的輸出結(jié)果，但是在高頻中我們就要考慮輸出波形的完整度問題；

今天就到這里，謝謝閱讀支持；