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鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池的研究進展

DT半導體 ? 來源:DT半導體 ? 2023-11-24 14:32 ? 次閱讀

鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池,以其具有超過單結(jié)電池Shockley-Queisser理論極限的超高效率和成本優(yōu)勢,近年來成為光伏領(lǐng)域的研究熱點。通過近10年的努力,鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已從最初的13.7%提升至目前的33.7%。然而,疊層器件效率的進一步提升需要對鈣鈦礦頂電池、中間復合層以及晶硅底電池進行更高效的優(yōu)化設計。目前,鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池通常采用透明導電金屬氧化物薄膜(ITO)作為中間復合層,然而ITO在制備過程中存在濺射損傷等問題。因此,開發(fā)高效的中間復合層對提升鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池的效率和加速產(chǎn)業(yè)化進程至關(guān)重要。

中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所硅基太陽能及寬禁帶半導體科研團隊在葉繼春研究員的帶領(lǐng)下,在前期晶硅、鈣鈦礦和疊層電池研究的基礎(chǔ)上,近期在鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池的中間層設計和制備方面取得了重要進展。

在這項研究中,團隊創(chuàng)新性地將具有隧穿特性的p型多晶硅/n型多晶硅結(jié)構(gòu)引入到疊層電池,用以取代傳統(tǒng)ITO中間層,成功制備出效率高達29.22%的鈣鈦礦/TOPCon疊層電池,并且這種疊層器件表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性(如圖1)。相較于傳統(tǒng)的ITO中間復合層,這種新型隧穿復合層具有以下優(yōu)勢:1)通過有效抑制p型多晶硅中硼和/n型多晶硅中磷摻雜劑的相互擴散和補償,新型隧穿結(jié)的TOPCon結(jié)構(gòu)展示出優(yōu)異的鈍化和接觸性能(如圖2)。此外,這種新型隧穿結(jié)的TOPCon電池與傳統(tǒng)TOPCon電池相比,其開路電壓提升了8 mV,這表明增加一層p型多晶硅可以保持TOPCon電池的高性能。2)對于鈣鈦礦頂電池,通過第一性原理計算、紅外和XPS等測試證實鈣鈦礦頂電池的MeO-2PACz空穴傳輸層更容易吸附在p型多晶硅上(如圖3),從而有助于對頂電池載流子的提取。3)通過UPS等測試證實p型多晶硅具有比傳統(tǒng)ITO更高的功函數(shù),可以進一步增強載流子傳輸和提取能力(如圖4)。

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圖1 隧穿復合結(jié)微觀形貌及疊層器件性能

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圖2 隧穿復合結(jié)內(nèi)擴散分布、能帶圖及鈍化接觸性能

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圖3 MeO-2PACz吸附增強的理論和實驗驗證

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圖4 隧穿復合層增強鈣鈦礦頂電池載流子傳輸和提取能力的測試結(jié)果

此外,通過詳細的有限元仿真,研究人員對這種隧穿疊層電池的載流子傳輸和復合機制進行了全面剖析(如圖5)。研究表明,這種隧穿復合層以陷阱輔助復合隧穿和帶帶隧穿為主。當多晶硅的摻雜濃度較低時(<4×1019cm-3),p型多晶硅的價帶和n型多晶硅的導帶不會發(fā)生交疊,因此不會觸發(fā)帶帶隧穿,此時陷阱輔助復合隧穿占主導。這種情況下,較高的缺陷濃度有助于陷阱輔助復合隧穿效應,從而提升疊層電池性能。當多晶硅的摻雜濃度較高時(>4×1019 cm-3),p型多晶硅的價帶和n型多晶硅的導帶發(fā)生交疊,觸發(fā)帶帶隧穿,此時帶帶隧穿占主導。相比于陷阱輔助復合隧穿,帶帶隧穿更有利于獲得更高的填充因子和效率。因此,如何通過摻雜控制中間層的隧穿和復合效率至關(guān)重要。這項工作對于中間層的設計及相關(guān)機理研究為鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池的性能提升提供了新的途徑,其設計思路同樣也適用于以異質(zhì)結(jié)作為底電池的鈣鈦礦疊層電池。

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圖5 具有隧穿結(jié)疊層電池的數(shù)值仿真及機理解釋

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:Nature Energy|寧波材料所在鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池的中間層設計和制備方面取得重要進展

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