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IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

冬至子 ? 來(lái)源:橘子說(shuō)IGBT ? 作者:Tracey ? 2023-11-24 16:16 ? 次閱讀

通常我們對(duì)某款IGBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的,往往會(huì)有所不同,因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來(lái)使用的。

因此可以通過(guò)雙脈沖測(cè)試,對(duì)IGBT的性能進(jìn)行更為準(zhǔn)確的評(píng)估。

雙脈沖測(cè)試的主要功能如下:

1、測(cè)量IGBT的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)(t d>r 、E on 、t d off 、t f 、Eoff 等);
2、通過(guò)觀察IGBT的柵極波形,評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板是否能為IGBT開(kāi)啟提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流;
3、獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù),以評(píng)估Rgon與Rgoff的選擇是否合適;
4、觀察開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有電壓尖峰,評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路;
5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量;
6、測(cè)量母排的雜散電感;

DOUBLE PULSE

測(cè)試原理

圖片

圖1 雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路及理想波形

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)電路及電路拓?fù)淙鐖D1所示。

高壓隔離探頭測(cè)量Vce及Vge的電壓大小,用羅氏線圈測(cè)量電流Ic的大小,測(cè)試結(jié)果通過(guò)示波器進(jìn)行監(jiān)控;上管IGBT的Vge加負(fù)壓或直接短路,因此它是關(guān)斷的,只有其并聯(lián)的二極管起續(xù)流作用,在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中可以用二極管替代。具體測(cè)試原理如下:

圖片

圖2 雙脈沖測(cè)試原理及波形

如圖2所示,在t0時(shí)刻,被測(cè)IGBT的門極接收到第一個(gè)脈沖,被測(cè)IGBT導(dǎo)通,母線電壓U加在負(fù)載電感L上,電感上的電流線性上升,表達(dá)式為:

圖片

IGBT關(guān)斷前的t1時(shí)刻,電感電流的數(shù)值由U和L決定;在U和L都確定時(shí),電流的數(shù)值由IGBT開(kāi)啟的脈寬T1決定,開(kāi)啟時(shí)間越長(zhǎng),電流越大。

因此可以通過(guò)改變脈沖寬度的大小,自主設(shè)定電流的數(shù)值。

t1時(shí)刻,IGBT關(guān)斷,因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在,會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰,該尖峰大小為圖片。在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT的關(guān)斷過(guò)程,電壓尖峰是重要的監(jiān)控對(duì)象。

圖片

圖3 雙脈沖測(cè)試原理及波形

如圖3所示,t1到t2之間,IGBT關(guān)斷,此時(shí)電流流向如原理圖綠線所示,負(fù)載的電流L的電流由上管二極管續(xù)流,該電流緩慢衰減,如圖3波形圖虛線所示。

由于電流探頭放在下管的發(fā)射極處,因此,在二極管續(xù)流時(shí),示波器無(wú)法顯示該電流。

圖片

圖4 雙脈沖測(cè)試原理及波形

如圖4所示,在t2時(shí)刻,被測(cè)IGBT 再次導(dǎo)通,續(xù)流二極管進(jìn)入反向恢復(fù)狀態(tài),反向恢復(fù)電流會(huì)穿過(guò)IGBT,此時(shí)電流探頭所測(cè)得的Ic為FRD反向電流與電感電流疊加,產(chǎn)生如波形圖所示的電流尖峰。

在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT的開(kāi)通過(guò)程,電流峰值是重要的監(jiān)控對(duì)象,同時(shí)應(yīng)注意觀察柵極波形是否存在震蕩現(xiàn)象。

圖片

圖5 雙脈沖測(cè)試原理及波形

如圖5所示,在t3時(shí)刻,被測(cè)IGBT再次關(guān)斷,與第一次關(guān)斷相同,因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在,會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰。

在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩。

根據(jù)上述原理,IGBT的實(shí)測(cè)波形如下所示:

C1通道(黃線):Vce、 C2通道(紫線):Vge、 C3通道(藍(lán)線):Ic

圖片

圖6 IGBT雙脈沖測(cè)試波形——關(guān)斷時(shí)刻波形

圖片

圖7 IGBT雙脈沖測(cè)試波形——開(kāi)啟時(shí)刻波形

觀測(cè)完波形圖,下一步就是對(duì)圖中的數(shù)據(jù)進(jìn)行觀察、采集。

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