光電探測器的性能指標主要由量子效率、響應度、光電流,暗電流和噪聲等指標組成:
1、量子效率:
2、響應度
定義為光電探測器產(chǎn)生光電流與入射光功率比,單位通常為 A/W。響應度與量子效率的大小有關,為量子效率的外在體現(xiàn)。響應度R:
3、暗電流和噪聲
光電流指在入射光照射下光電探測器所產(chǎn)生的光生電流,暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機的靈敏度大小,是探測器的主要指標之一。
暗電流主要包括以下幾種 :
①耗盡區(qū)中邊界的少子擴散電流;②載流子的產(chǎn)生-復合電流,通過在加工中消除硅材料的晶格缺陷,可以有效減小載流子的產(chǎn)生-復合電流;③表面泄漏電流,在制造工藝結束時,對芯片表面進行鈍化處理,可以將表面漏電流降低。
當然,暗電流也受探測器工作溫度和偏置電壓的影響。 探測器的暗電流與噪聲是分不開的 ,通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲。
4、光功率與光子數(shù)的關系:
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