半導體光催化技術的三個步驟
今天為大家帶來的是半導體光催化技術的基本原理，半導體光催化技術的基本原理主要通過固體能帶理論解釋：半導體光催化材料受光激發產生光生電子．空穴對，接著進行氧化還原反應。
一般來說，光催化過程主要分為以下三個步驟：
1，半導體材料吸收光子產生光生電子和空穴；
2, 光生電子和空穴從半導體內部向表面遷移；
3，光生空穴與供體發生氧化反應： 
光生電子與受體發生還原反應： 
半導體光催化材料受光激發持續產生光生電子．空穴對，并被反應物消耗，實現太陽能向化學能的轉換。然而，目前光催化材料的太陽能利用率還達不到理想的實際應用效果。
一方面，半導體只吸收能量大于等于其帶隙的光子，半導體的帶隙決定了吸收光子的數目。另一方面，大部分光生電子-空穴對在半導體表面／內部發生復合，從太陽光中獲取的能量以光和熱的形式散發。
審核編輯：黃飛
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原文標題：半導體光催化技術的基本原理
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