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第三代半導(dǎo)體原料三個(gè)發(fā)展階段的現(xiàn)狀與應(yīng)用分析

牽手一起夢(mèng) ? 來源:中國(guó)LED市場(chǎng) ? 作者:中國(guó)LED市場(chǎng) ? 2019-11-05 14:40 ? 次閱讀

半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料;第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表;第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬帶半導(dǎo)體原料為主。

第三代半導(dǎo)體原料具有較大的頻寬寬度,較高的擊穿電壓 (breakdown voltage),耐壓與耐高溫性能良好,因此更適用于制造高頻、高溫、大功率的射頻元件。

從第二代半導(dǎo)體原料開始出現(xiàn)化合物,這些化合物憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域中取得廣泛應(yīng)用。

如 GaAs 在高功率傳輸領(lǐng)域具有優(yōu)異的物理性能優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于手機(jī)、無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、光纖通訊、衛(wèi)星通訊、衛(wèi)星定位等領(lǐng)域。

GaN 則具有低導(dǎo)通損耗、高電流密度等優(yōu)勢(shì),可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載??蓱?yīng)用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域。

SiC 因其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能,在交流 - 直流轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換裝置中得以大量應(yīng)用。

明日之星 - GaN

GaN 是未來最具增長(zhǎng)潛力的化合物半導(dǎo)體,與 GaAs 和 InP 等高頻工藝相比,GaN 制成元件輸出的功率更大;與 LDMOS 和 SiC 等功率工藝相比,GaN 的頻率特性更好。

大多數(shù) Sub 6GHz 的蜂窩網(wǎng)絡(luò)都將采用 GaN 元件,因?yàn)?LDMOS 無法承受如此高的頻率,而 GaAs 對(duì)于高功率應(yīng)用又非理想之選。

此外,因?yàn)檩^高的頻率會(huì)降低每個(gè)基地臺(tái)的覆蓋范圍,所以需要安裝更多的晶體管,進(jìn)而帶動(dòng) GaN 市場(chǎng)規(guī)模將迅速擴(kuò)大。

GaN 元件產(chǎn)值目前占整個(gè)市場(chǎng) 20% 左右,Yole 預(yù)估到 2025 年比重將提升至 50% 以上。

GaN HEMT 已經(jīng)成為未來大型基地臺(tái)功率放大器的候選技術(shù)。目前預(yù)估全球每年新建約 150 萬座基地臺(tái),未來 5G 網(wǎng)絡(luò)還將補(bǔ)充覆蓋區(qū)域更小、分布更加密集的微型基地臺(tái),這將刺激 GaN 元件的需求。

此外,國(guó)防市場(chǎng)在過去幾十年里一直是 GaN 開發(fā)的主要驅(qū)動(dòng)力,目前已用于新一代空中和地面雷達(dá)。

而在 GaN 射頻元件領(lǐng)域中,龍頭廠包括日本住友電工、美國(guó)科銳和 Qorvo、韓國(guó) RFHIC 等。GaN 代工廠則有穩(wěn)懋 (3105.TW)、三安光電等。

手機(jī)中基石 - GaAs

GaAs 作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一,是智慧手機(jī)零組件中,功率放大器 (PA) 的基石。

根據(jù) Strategy Analytics 數(shù)據(jù)顯示, 2018 年全球 GaAs 元件市場(chǎng)(含 IDM 廠元件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為 88.7 億美元,創(chuàng)歷史新高,且市場(chǎng)集中度高,前四大廠商比重達(dá) 73.4%,分別為 Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩(wěn)懋 (6%)。

至于 GaAs 晶圓代工市場(chǎng)方面,2018 年規(guī)模為 7.5 億美元,其中穩(wěn)懋市占率高達(dá) 71.1%,為全球第一大 GaAs 晶圓代工廠。

由于 GaAs 具有載波聚合和多輸入多輸出技術(shù)所需的高功率和高線性度,GaAs 仍將是 6 GHz 以下頻段的主流技術(shù)。除此之外,GaAs 在汽車電子、軍事領(lǐng)域方面也有一定的應(yīng)用。

總結(jié)上述這些 III-V 族化合物半導(dǎo)體元件具有優(yōu)異的高頻特性,長(zhǎng)期以來被視為太空科技中無線領(lǐng)域應(yīng)用首選。

隨著商業(yè)上寬帶無線通訊及光通訊的爆炸性需求,化合物半導(dǎo)體制程技術(shù)更廣泛的被應(yīng)用在高頻、高功率、低噪聲的無線產(chǎn)品及光電元件中。同時(shí)也從手持式無線通訊,擴(kuò)散至物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)下的 5G 基礎(chǔ)建設(shè)和光通訊的技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域。

責(zé)任編輯:gt

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