來源：《半導體芯科技》雜志

臺積電將攜手博通、英偉達等客戶共同開發硅光子技術、光學共封裝（CPO）等新產品。這一合作的制程技術從45nm延伸到7nm，為相關工藝提供更加先進的支持。預計明年下半年開始迎來大宗訂單，2025年有望進入大規模量產階段。

隨著技術的快速發展和計算機處理速度的提高，芯片之間的通信已經成為影響計算性能的關鍵因素。當前的計算機組件采用的是銅布線，這種信號傳輸方式在長距離傳輸中存在信號損失和熱量問題，限制了數據傳輸速度和效率。硅光子技術有望提高光電傳輸的速度，有效解決這一問題。

硅光芯片是一種基于硅晶圓開發出的光子集成芯片，它利用硅光材料和器件通過特殊工藝制造集成電路，具有集成度高、成本低、傳輸帶寬高等特點。在尺寸、速率、功耗等方面具有獨特優勢，其工藝與硅基微電子芯片基礎工藝兼容，可以與硅基微電子實現光電子3D集成芯片。硅光電子技術已經在數據中心、通信、激光雷達、傳感、高性能計算和人工智能等領域彰顯出廣闊的應用前景和產業化趨勢。

英特爾也致力于發展硅光芯片技術。例如，英特爾提出的光電共封裝解決方案使用了密集波分復用（DWDM）技術，能夠在增加光子芯片帶寬的同時縮小尺寸。英特爾還提出可插拔式光電共封裝方案，該方案是利用光互連技術，讓芯片間的帶寬達到更高水平。同時，英特爾還在研發八波長分布式反饋激光器陣列，以提升大型CMOS晶圓廠激光器制造能力，實現光互連芯粒技術。

臺積電此前在硅光芯片領域主推名為COUPE（緊湊型通用光子引擎）的封裝技術，其最大的特點是可以降低功耗、提升帶寬。有消息稱，臺積電計劃將該技術用于與英偉達的合作項目中，嘗試用該技術將多個英偉達GPU進行組合。業界認為，此次臺積電與博通、英偉達等大客戶共同開發硅光芯片技術，將會集合各方的技術優勢和資源，推動硅光芯片的大規模量產。

審核編輯 黃宇