91在线观看视频-91在线观看视频-91在线观看免费视频-91在线观看免费-欧美第二页-欧美第1页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET的并聯(lián)使用

芯長征科技 ? 來源: Nexperia ? 2023-12-19 09:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文來源于 Nexperia的應(yīng)用筆記AN11599

02381950-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

024b4eee-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

025e0d86-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0272753c-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02885186-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0299c6fa-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02acf5a4-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02ce7ecc-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02d33976-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

02ea4936-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0301f126-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

03117cfe-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0320dc6c-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

033a4abc-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

0354b884-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

036bd7e4-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

037c8fb2-9e0f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 并聯(lián)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    250

    瀏覽量

    36067
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8600

    瀏覽量

    220385
  • Nexperia
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    783

    瀏覽量

    57816

原文標題:MOSFET 的并聯(lián)使用

文章出處:【微信號:芯長征科技,微信公眾號:芯長征科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項

    通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:52 ?574次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項

    怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢?

    為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件,開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
    發(fā)表于 08-29 11:47 ?847次閱讀
    怎樣通過<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>獲得更多功率呢?

    mosfet并聯(lián)緩沖電容

    有的文獻說mosfet并聯(lián)緩沖電容,可以提升效率?? 是否有這一說法
    發(fā)表于 02-22 18:19

    MOSFET并聯(lián)擴流使用問題:并的越多不良率越高。

    就挑一些有用的動態(tài)參數(shù)測試就行了。CISS和RG這兩個參數(shù)決定了開啟時間,能用到設(shè)備相對便宜,每個工廠都有。4,再加上直流上VTH這三個參數(shù)配合篩選可以滿足很多客戶,并聯(lián)使用時候的,不同步問題,造成
    發(fā)表于 04-24 14:44

    怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題?

    怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題? 來糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。
    發(fā)表于 04-07 07:05

    MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計、功率MOSFET并聯(lián)驅(qū)動特性分析

    發(fā)表于 09-04 11:09

    功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用

    從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時電壓和電流不均衡的原因,并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細的分析,并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。
    發(fā)表于 09-30 16:29 ?90次下載

    功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

    功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究,詳細分析了影響功率MOSFET
    發(fā)表于 06-30 13:38 ?3884次閱讀
    功率<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>均流問題研究

    碳化硅MOSFET并聯(lián)運作提升功率輸出

    碳化硅(SiC)MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進行靜態(tài)電流的共享和負反饋。如果一個設(shè)備的電流更大,那么它就會加熱,相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣,過境電流降低,熱失衡級別也降低。此外,他們在溫度
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:59 ?992次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>運作提升功率輸出

    MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩).pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 07-13 09:39 ?7次下載

    大功率IGBT和SiC MOSFET并聯(lián)設(shè)計方案

    難以滿足這些應(yīng)用的需求。因此,大功率IGBT和SiCMOSFET的并聯(lián)設(shè)計成為了一種有效的解決方案。本文將介紹并聯(lián)設(shè)計的關(guān)鍵要點,并推薦安森美(onsemi)的幾款相應(yīng)產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 15:27 ?1992次閱讀
    大功率IGBT和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>設(shè)計方案

    AOS MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計中的應(yīng)用

    如今,由于對大電流和高功率應(yīng)用的需求不斷增加,單一的MOSFET已經(jīng)無法滿足整個系統(tǒng)的電流要求。在這種情況下,需要多個MOSFET并聯(lián)工作,以提供更高的電流和功率,這有助于減少導(dǎo)通損耗,降低工作溫度
    的頭像 發(fā)表于 11-27 15:32 ?809次閱讀
    AOS  <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>在高功率設(shè)計中的應(yīng)用

    MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計中的應(yīng)用

    在高功率電子設(shè)計中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET并聯(lián)應(yīng)用并非簡單的器件堆疊,它涉及諸多技術(shù)挑戰(zhàn),如電流均衡、熱管
    的頭像 發(fā)表于 12-04 01:07 ?947次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>在高功率設(shè)計中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:36 ?631次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:25 ?1388次閱讀
    Si-IGBT+SiC-<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
    主站蜘蛛池模板: 短篇禁伦小说 | 久操视频免费观看 | 婷婷在线观看香蕉五月天 | 色综合成人 | 在线免费看污视频 | 五月亭亭免费高清在线 | 污污的网站免费阅读 | 久久久精品免费观看 | 久久精品人人爽人人爽 | 久久久久久国产精品免费免费 | bt种子在线搜索 | 婷婷深爱网 | 四虎最新在线 | 天天干天天碰 | 免费视频爱爱 | 亚欧免费视频一区二区三区 | 激情五月婷婷基地 | 亚洲成网站www久久九 | 操欧美女人 | 伊人电影综合网 | 久久久久国产一级毛片高清版 | 四虎影院在线免费观看 | 看全黄大片狐狸视频在线观看 | 亚洲a人片在线观看网址 | 久久精品9 | 日本黄色视屏 | 99国产精品久久久久久久成人热 | 色噜噜噜| 日本亚洲欧美美色 | 日韩一级精品视频在线观看 | 免费我看视频在线观看 | 精品国内一区二区三区免费视频 | brazzersvideosex欧美最| 夜夜骑日日操 | 午夜毛片免费看 | 俺去俺来也www色官网免费的 | 天天爽夜夜 | 高清成年美女xx免费网站黄 | 午夜香港三级在线观看网 | 亚洲不卡视频 | 国产小视频免费 |