三五族氮化物半導體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導體特性和從0.6eV到6.2eV連續可調禁帶寬度特點，非常適用于光電材料與器件的應用開發和研究。基于此，它們可以用于制備各種光電子器件，包括發光二極管，半導體激光器和半導體探測器等。然而，目前AlGaN基深紫外LED電光轉換效率不足10%。

此外，傳統紫外探測器主要產生單一方向流動的光電流，其探測功能和形式受到限制。為解決上述瓶頸，進一步提升紫外光電器件性能并拓展其光電功能。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化物半導體固態紫外技術”分會上，中國科學技術大學孫海定教授做了“用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發”的主題報告，分享了最新研究成果。

課題組通過實現對AlGaN薄膜和納米線結構的可控外延生長以及新穎的發光和探測器件結構設計與制備，獲得器件的高效光電/電光轉換效率，并實現了在日盲紫外光通信中的應用。報告總結了（1）通過制備microLED并優化器件結構和制備工藝（側壁鈍化工藝，幾何形貌和器件周長比，器件尺寸大小及側壁斜切角，器件陣列等），提升紫外microLED的器件發光效率并體現出它們相較于傳統大尺寸器件在高速日盲紫外光通信中的應用優勢；（2）利用AlGaN/GaN納米線比表面積大優勢和納米線表面修飾和結構優化，實現雙極性光電流探測，用于雙通道加密日盲紫外光通信等應用等。

審核編輯：劉清