關(guān)于英特爾憑借 18A 工藝從臺(tái)積電手中奪回領(lǐng)先地位的說(shuō)法有很多。

從表面上看，臺(tái)積電擁有龐大的生態(tài)系統(tǒng)，在工藝技術(shù)和代工設(shè)計(jì)起步方面處于領(lǐng)先地位，但英特爾也不容忽視。英特爾首先提出了高金屬柵極、FinFET 和更多創(chuàng)新半導(dǎo)體技術(shù)，其中之一是背面供電。BPD 無(wú)疑可以使英特爾重新回到半導(dǎo)體制造的最前沿，但我們也需要在適當(dāng)?shù)谋尘跋驴创?/p>

背面供電是指將電力傳送到芯片背面而不是正面的設(shè)計(jì)方法。這種方法在熱管理和整體性能方面具有優(yōu)勢(shì)。它可以實(shí)現(xiàn)更有效的散熱，并有助于更好地向芯片組件傳輸電力。這一切都是為了優(yōu)化布局和設(shè)計(jì)，以改進(jìn)功能和熱量分布。

背面供電已在會(huì)議上討論過(guò)，但英特爾將是第一家將其付諸實(shí)踐的公司。我們應(yīng)當(dāng)向英特爾致敬，因?yàn)樗麄優(yōu)閷?shí)現(xiàn)戈登·摩爾的愿景又邁出了令人難以置信的一步。

臺(tái)積電和三星可能會(huì)跟隨英特爾落后一兩年進(jìn)入背面供電領(lǐng)域。臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)之一是其密切合作的客戶的巨大力量，確保了臺(tái)積電的成功，這與臺(tái)積電的封裝成功不同。

今天，英特爾和臺(tái)積電之間的任何比較就像將蘋(píng)果與菠蘿進(jìn)行比較一樣，它們已經(jīng)是完全不同的兩個(gè)東西了。

目前，英特爾在內(nèi)部生產(chǎn) CPU 小芯片，并將支持小芯片和 GPU 外包給臺(tái)積電 (N5-N3)。希望英特爾能夠在內(nèi)部生產(chǎn) 18A 及以下的所有小芯片。

不幸的是，到目前為止，英特爾代工集團(tuán)還沒(méi)有大量客戶。內(nèi)部制造小芯片無(wú)法與臺(tái)積電為蘋(píng)果和高通等巨頭制造復(fù)雜的 SoC 相比。如果您想將 BPD 競(jìng)爭(zhēng)分為兩部分：內(nèi)部小芯片和復(fù)雜的 SoC，那沒(méi)問(wèn)題。但我認(rèn)為，如果說(shuō)英特爾的工藝領(lǐng)先于任何人，而只做小芯片，那是不誠(chéng)實(shí)的。

現(xiàn)在，如果您想進(jìn)行小芯片比較，讓我們仔細(xì)看看英特爾與 AMD 或 Nvidia 的對(duì)比，因?yàn)樗麄冋谂_(tái)積電 N3 和 N2 上開(kāi)發(fā)小芯片。英特爾可能真的會(huì)贏得這一勝利，我們拭目以待。但對(duì)我來(lái)說(shuō)，如果你想要代工工藝領(lǐng)先，你需要能夠大批量生產(chǎn)客戶芯片。

接下來(lái)，您必須考慮如果沒(méi)有客戶支持，支撐領(lǐng)先意味著什么。它將是墻上的絲帶之一、維基百科上的注釋之一，或者像 IBM 那樣的新聞稿。這不會(huì)是每個(gè)人都尋求的數(shù)十億美元的 HVM 收入。英特爾需要登陸一些無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體巨頭才能站在臺(tái)積電旁邊，否則他們將站在三星或IBM旁邊。

“英特爾曾經(jīng)是保守派，”TechInsights 副主席丹·哈奇森 (Dan Hutcheson) 說(shuō)。此前，臺(tái)積電的冒險(xiǎn)精神更加激進(jìn)，失敗的幾率也更高。哈奇森解釋說(shuō)，現(xiàn)在情況發(fā)生了轉(zhuǎn)變。“試圖同時(shí)實(shí)施兩項(xiàng)重大技術(shù)變革是一個(gè)非常冒險(xiǎn)的舉動(dòng)，而在過(guò)去，這往往會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難，”他說(shuō)。

他正在談?wù)摼哂斜趁婀╇?(BPD) 功能的 Intel 20A。我從來(lái)不認(rèn)為臺(tái)積電是一個(gè)冒險(xiǎn)家。他們有客戶需要服務(wù)，他們的企業(yè)生存依賴于此（Trusted Foundry）。示例：臺(tái)積電 (TSMC) 在 20 納米工藝上分離雙圖案，在 16 納米工藝下使用 FinFET。臺(tái)積電在 HVM 后，將 EUV 層添加到 7nm（7nm+）。我認(rèn)為，這并不是激進(jìn)的冒險(xiǎn)行為。

另一方面，英特爾則為自己提供內(nèi)部開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品可能而且已經(jīng)由于工藝問(wèn)題而被推遲。英特爾冒著風(fēng)險(xiǎn)在 14 納米工藝上進(jìn)行了雙圖案化和 FinFET，并且做得相當(dāng)不錯(cuò)。這是以秘密方式完成的，因此我們不知道延誤等情況，但這是一個(gè)非常具有破壞性的舉動(dòng)。英特爾冒著在沒(méi)有 EUV 的情況下進(jìn)行 10/7nm 的風(fēng)險(xiǎn)，結(jié)果慘遭失敗。對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)，不同的是，現(xiàn)在他們?cè)诋a(chǎn)品（AMD）和工藝（臺(tái)積電）層面面臨著以前沒(méi)有的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

我也不同意關(guān)于 20A 和 BPD 的說(shuō)法是一個(gè)冒險(xiǎn)的舉動(dòng)。英特爾將 20A 引入 HVM，然后添加背面供電。與 18A 相同，您無(wú)需進(jìn)行背面供電。英特爾 18A 作為一種創(chuàng)新工藝，與臺(tái)積電 N2 和三星 2nm 具有競(jìng)爭(zhēng)力，甚至在市場(chǎng)上擊敗了它們。在背面供電方面，英特爾一躍領(lǐng)先，直到臺(tái)積電和三星在一兩年后提供 BPD。

就我個(gè)人而言，我認(rèn)為英特爾在這方面確實(shí)有機(jī)會(huì)。如果客戶可以在合理的時(shí)間內(nèi)完成他們的 BPD 版本，那么與我之前提到的非臺(tái)積電業(yè)務(wù)相比，這可能會(huì)成為新的代工收入來(lái)源的開(kāi)始。一兩年后我們就會(huì)知道，但對(duì)我來(lái)說(shuō)，這是我們一直在等待的激動(dòng)人心的代工競(jìng)賽，所以謝謝英特爾，歡迎回來(lái)！

2nm，競(jìng)爭(zhēng)激烈

來(lái)自韓國(guó)、臺(tái)灣和美國(guó)的領(lǐng)先芯片制造商之間在先進(jìn) 2 納米 (nm) 半導(dǎo)體工藝方面的競(jìng)爭(zhēng)預(yù)計(jì)明年將加劇。

12月25日行業(yè)報(bào)告顯示，全球代工龍頭——臺(tái)灣臺(tái)積電（行業(yè)第一）、韓國(guó)三星電子（第二）以及重新進(jìn)軍代工市場(chǎng)的美國(guó)英特爾——都在加速發(fā)展先進(jìn)的2納米工藝。

目前，最先進(jìn)的量產(chǎn)技術(shù)是3納米工藝，由三星電子和臺(tái)積電制造。三星于去年6月開(kāi)始量產(chǎn)3納米工藝，而臺(tái)積電則于今年年初開(kāi)始量產(chǎn)。

然而，據(jù)報(bào)道，由于對(duì)初始良率的擔(dān)憂以及半導(dǎo)體市場(chǎng)的低迷，3納米工藝的市場(chǎng)需求并未達(dá)到預(yù)期，導(dǎo)致客戶對(duì)這些高成本、先進(jìn)工藝的需求減少。

除了臺(tái)積電獨(dú)家生產(chǎn)蘋(píng)果電腦用片上系統(tǒng) M3 芯片和移動(dòng)應(yīng)用處理器 A17 之外，全球主要無(wú)晶圓廠公司仍然主要使用 4 納米工藝而不是 3 納米代工廠。

與此同時(shí)，臺(tái)積電的主導(dǎo)地位只增不減。根據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在全球晶圓代工市場(chǎng)的份額從2021年第三季度的53.1%增長(zhǎng)到2023年同期的57.9%。相比之下，三星代工的市場(chǎng)份額從2021年第三季度的17.1%下降到2023年同期的12.4%。同一時(shí)期。

盡管如此，英特爾和三星都更專注于先于臺(tái)積電開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝，而不是立即擴(kuò)大訂單。他們的策略是搶占下一個(gè)市場(chǎng)，而不是與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者進(jìn)行價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

尤其是英特爾，正在采取積極舉措重新進(jìn)入代工業(yè)務(wù)。計(jì)劃于明年上半年量產(chǎn)20埃(A)2納米級(jí)產(chǎn)品，下半年開(kāi)發(fā)1.8納米產(chǎn)品18A。在去年 9 月舉行的年度開(kāi)發(fā)者活動(dòng)英特爾創(chuàng)新 2023 上，英特爾還推出了 18A 半導(dǎo)體晶圓的原型。

與此相關(guān)的是，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司ASML近日在其官方社交媒體上宣布，將向英特爾交付全球首款High NA極紫外（EUV）設(shè)備。該設(shè)備由 ASML 獨(dú)家生產(chǎn)，對(duì)于在半導(dǎo)體晶圓上創(chuàng)建電路至關(guān)重要，對(duì)于實(shí)現(xiàn) 7 nm 以上的精細(xì)電路至關(guān)重要。High-NA EUV 預(yù)計(jì)將成為 2nm 以下工藝的關(guān)鍵工具，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有 EUV 設(shè)備更精細(xì)的工藝。去年年初，英特爾率先與 ASML 簽署了該設(shè)備的合同，領(lǐng)先于三星電子和臺(tái)積電。

三星代工廠去年開(kāi)始量產(chǎn) 3 納米工藝，目標(biāo)是明年開(kāi)始量產(chǎn)改進(jìn)的第二代 3 納米工藝，并計(jì)劃在 2025 年上半年量產(chǎn) 2 納米工藝。臺(tái)積電已將 2 納米量產(chǎn)時(shí)間表定于 2025 年下半年。

臺(tái)積電最近與蘋(píng)果、英偉達(dá)等大客戶分享了其2納米原型機(jī)的測(cè)試結(jié)果。同樣，三星也向主要客戶展示其2nm原型機(jī)，據(jù)報(bào)道正在采取降價(jià)策略。