GD32F10x系列復位控制包括三種復位：電源復位、系統復位和備份域復位。電源復位為冷復位，電源啟動時復位除了備份域的所有系統。電源和系統復位的過程中，NRST會維持一個低電平，直至復位結束。MCU無法執行起來時，可以通過示波器監測NRST管腳波形來判斷芯片是否有一直發生復位事件。 芯片內部集成POR/ PDR(上電/掉電復位)電路，用于檢測電源并在電壓低于閾值時產生電源復位信號復位除備份域之外的整個芯片。GD32F1中flash容量不超過128KB的GD32F103產品，VPOR表示上電復位的閾值電壓，典型值約為2.4V，VPDR表示掉電復位的閾值電壓，典型值約為2.35V，遲滯電壓Vhyst值約為50mV。flash容量大于128KB的GD32F103產品，VPOR表示上電復位的閾值電壓，典型值約為2.4V，VPDR表示掉電復位的閾值電壓，典型值約為1.8V，遲滯電壓Vhyst值約為600mV。

注意：適用于GD32F101及flash容量不超過128KB的GD32F1產品。

注意：適用于flash容量大于128KB的GD32F103產品。LVD的功能是檢測VDD/VDDA供電電壓是否低于低電壓檢測閾值(2.2 V~2.9V)，該閾值由電源控制寄存器中的LVDT[2:0]位進行配置。LVD通過LVDEN置位使能，位于電源狀態寄存器中的LVDF位表示低電壓事件是否出現，該事件連接至EXTI的第16線，用戶可以通過配置EXTI的第16線產生相應的中斷。遲滯電壓Vhyst值為100mV。LVD應用場合：當MCU電源受到外部干擾時，如發生電壓跌落，我們可通過LVD設置低電壓檢測閾值，一旦跌落到該閾值，LVD中斷被打開，可在中斷函數里設置軟復位等操作，避免MCU發生其他異常。

另外，MCU復位源可以通過查詢寄存器RCU_RSTSCK來判斷，該寄存器只有上電復位才能清除標志位，所以在使用過程中，獲取到復位源后，可通過RSTFC控制位清除復位標志，那樣發生看門狗復位或其他復位事件時，才能較準確在RCU_RSTSCK寄存器中體現出來：

MCU內部集成有上電/掉電復位電路，在設計外部復位電路時，NRST管腳必須要放置一個電容，確保NRST管腳上電能產生一個至少20us的低脈沖延時，完成有效上電復位過程。

注意：1，內部上拉電阻RPU = 40kΩ，建議接外部上拉電阻10kΩ即可，以使得電壓干擾不會導致芯片工作異常；2. 若考慮靜電等影響，可在NRST管腳處放置ESD保護二極管；3. 盡管MCU內部有硬件POR電路，仍推薦外部加NRST復位阻容電路；4. 如果MCU啟動異常，可適當增加NRST對地電容值，拉長MCU復位完成時間，避開上電異常時序區。