當對二極管施加正向電壓時，電子和空穴會不斷擴散并存儲大量電荷，從而導致反向恢復過程的存在。

在施加正向電壓時，P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散。這使得勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，并在P區(qū)和N區(qū)內存儲了相當數量的電荷。P區(qū)內存儲了電子，而N區(qū)內存儲了空穴。這些存儲的電荷是非平衡少數載流子，如下圖所示。

產生反向恢復過程的原因有：

勢壘和內建電場的作用：在二極管中，PN結的兩側存在勢壘和內建電場。當正向電壓作用于二極管時，電子從N型半導體向P型半導體移動，形成正向電流；當反向電壓作用于二極管時，電子從P型半導體向N型半導體移動，形成反向電流。由于勢壘和內建電場的存在，反向電流需要克服這些作用力才能逐漸減小并消失。

載流子的存儲效應：在二極管中，當正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，由于勢壘和內建電場的作用，會形成一個反向偏置的PN結。這個PN結會逐漸充電，形成反向電壓。這個過程是由于載流子在PN結中的存儲效應導致的。

載流子的復合和漂移：在反向恢復過程中，載流子需要克服勢壘和內建電場的作用，逐漸減少并消失。這個過程包括載流子的復合和漂移兩個過程。載流子的復合是指載流子與價帶中的空穴結合，形成復合中心，從而減少載流子的數量。載流子的漂移是指載流子在電場的作用下，沿著一定的方向移動，從而減少載流子的數量。

為了提高電路的性能和穩(wěn)定性，需要選擇具有較短反向恢復時間的快速恢復二極管，并采取相應的措施來縮短反向恢復時間。