導航定位系統需要實時采集位置數據，并將這些數據按照一定頻率采樣寫入非易失存儲器中。導航芯片普遍采用外掛獨立式存儲芯片（比如Flash）的架構，極大地限制了整體系統的小型化和位置數據采樣記錄頻率、抗噪能力的提升，并存在數據安全隱患。

使用MRAM HS4MANSQ1A-DS1高耐擦寫特性可以提升導航芯片的數據采樣寫入頻率（從1分鐘/次至少提升到1秒/次）；HS4MANSQ1A-DS1的先進節(jié)點可拓展性可以滿足導航芯片在28/22納米工藝節(jié)點片上集成非易失存儲取代外掛存儲的需求，并進一步降低功耗，提升數據安全。

HS4MANSQ1A-DS1是一個SPI/QPI接口4M容量的MRAM，芯片可以配置為1位I/O獨立接口或4位I/O通用接口，數據可以保持10年以上。工作溫度: -40℃~125℃，適用于低電壓工作，休眠電流僅2μA，待機電流2mA，在導航定位系統中，提供更優(yōu)異的性能與更長的續(xù)航時間。

快速的SPI接口：

?支持標準SPI, Quad SPI, QPI模式

?高達200MHz時鐘頻率@SPI SDR寫

?高達100MHz時鐘頻率@SPI SDR讀

?高達60MHz時鐘頻率@Quad SPI SDR寫

?高達100MHz時鐘頻率@Quad SPI SDR讀

?高達60MHz時鐘頻率@QPI SDR寫

?高達100MHz時鐘頻率@QPI SDR讀

?寫操作沒有延遲

因此，MRAM非常適合導航定位這類需要實時記錄/分析數據的應用場景。

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