英飛凌與Wolfspeed擴大碳化硅晶合作，滿足市場需求
英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內(nèi)容還包含了一份多年的產(chǎn)能預留協(xié)議。
這份新協(xié)議將增強英飛凌整體供應鏈的穩(wěn)定性，以應對汽車、太陽能和電動汽車等多領(lǐng)域快速增長的碳化硅晶圓產(chǎn)品需求。
目前，碳化硅（SiC）在高電壓（超過800伏）功率半導體領(lǐng)域的發(fā)展勢頭強勁，尤其是在電動汽車領(lǐng)域表現(xiàn)突出。由于巨大的市場潛力，SiC已經(jīng)成為了先進功率器件的代表。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2331瀏覽量
140318 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3044瀏覽量
50175 -
Wolfspeed
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
65瀏覽量
7304
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導體崛起
從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為
碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相
在碳化硅（SiC）技術(shù)的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
東升西降：從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)
的此消彼長。這一現(xiàn)象不僅是企業(yè)個體的興衰，更是技術(shù)迭代、政策支持、市場需求與資本流向共同作用的結(jié)果。以下從多個維度解析這一“東升西降”的產(chǎn)業(yè)格局演變。 Wolfspeed的危機標志著歐美SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈在政策韌性、成
CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示
）的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期：Wolfspeed（原CREE）曾長期主導全球碳化硅襯底市場，其物理氣相傳輸法（PVT）生長技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對優(yōu)勢。2018年特斯拉采用碳化硅后，
Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方
碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶
晶馳機電8英寸碳化硅電阻式長晶爐順利通過客戶驗證
近日，晶馳機電開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長晶爐順利通過客戶驗證，設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
發(fā)表于 01-04 12:37
Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米
Wolfspeed關(guān)閉6英寸碳化硅晶圓廠，德國建廠計劃延后
知名碳化硅晶圓和外延片制造商Wolfspeed近期宣布了一項戰(zhàn)略調(diào)整決策，決定關(guān)閉其位于美國北卡羅來納州達勒姆的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)設(shè)施，以
碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有比硅（Si）更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得
CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場
英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù)，再度突破極限，實現(xiàn)更高效率、更低功耗，這也使英飛凌在日益發(fā)展且競爭激烈的碳化硅市場，屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年，
Wolfspeed碳化硅制造工廠取得顯著進展
在全球半導體技術(shù)持續(xù)革新的浪潮中，碳化硅芯片作為新一代功率半導體器件的核心材料，正逐步成為市場的新寵。近日，半導體制造領(lǐng)域的佼佼者Wolfspeed公司宣布，其碳化硅芯片制造工廠及材料
工商網(wǎng)監(jiān)
評論