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晶體振蕩器電路圖分享

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-06 11:03 ? 次閱讀
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什么是晶體振蕩器

晶體振蕩器是一種特殊的振蕩器,它采用石英晶體作為頻率控制元件。在石英晶體上按照一定方位角切下薄片,這個(gè)薄片稱為晶片或石英晶體諧振器,簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振。在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。

晶體振蕩器具有高精度和高穩(wěn)定度的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種電路中,如彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等振蕩電路,以及通信系統(tǒng)中的頻率發(fā)生器,為數(shù)據(jù)處理設(shè)備提供時(shí)鐘信號(hào)和特定系統(tǒng)的基準(zhǔn)信號(hào)。

晶體振蕩器一般采用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。總頻差是在規(guī)定的時(shí)間內(nèi),由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的最大頻差。

總之,晶體振蕩器是一種采用石英晶體作為頻率控制元件的高精度、高穩(wěn)定度的振蕩器,廣泛應(yīng)用于各種電路和通信系統(tǒng)中。

晶體振蕩器的應(yīng)用

晶體振蕩器在各個(gè)領(lǐng)域有多種應(yīng)用,下面給出一些晶體振蕩器的應(yīng)用。

1、Colpitts晶體振蕩器應(yīng)用

考畢茲振蕩器用于生成非常高頻率的正弦輸出信號(hào)。該振蕩器可用作不同類型的傳感器,例如溫度傳感器,因?yàn)槲覀冊(cè)?Colpitts 電路中使用 SAW 器件,它直接從其表面進(jìn)行感應(yīng)。

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考畢茲振蕩器的應(yīng)用主要涉及使用較寬頻率范圍的情況。也可用于無(wú)阻尼和連續(xù)振蕩條件。使用考畢茲電路中的一些器件,我們可以實(shí)現(xiàn)更高的溫度穩(wěn)定性和高頻。

2、阿姆斯壯晶體振蕩器的應(yīng)用

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這條賽道一直流行到 20 世紀(jì) 40 年代。這些廣泛用于再生無(wú)線電接收器。在該輸入中,來(lái)自天線的射頻信號(hào)通過(guò)附加繞組磁耦合到儲(chǔ)能電路中,并且反饋被減少以在反饋環(huán)路中進(jìn)行增益控制。最后,它產(chǎn)生窄帶射頻濾波器放大器。在此晶體振蕩器中,LC 諧振電路被反饋環(huán)路取代。

接下來(lái)小編給大家分享一些晶體振蕩器電路圖,以及簡(jiǎn)單分析它們的工作原理

晶體振蕩器電路圖分享

1、簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖

為了構(gòu)建串聯(lián)諧振晶體振蕩器,將晶體元件和耦合電容器放置在共發(fā)射極配置電路的集電極和基極端子之間,我們可以從集電極端子獲得振蕩器輸出。

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對(duì)于并聯(lián)諧振晶體振蕩器,晶體元件放置在集電極和發(fā)射極端子之間,并且輸出取自集電極端子,此處晶體管配置為共發(fā)射極。

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開(kāi)關(guān)元件可以是FET或MOSFET的晶體管,大多數(shù)微控制器微處理器都提供外部端子連接晶體元件,不需要外部振蕩電路。具體范圍的晶體元件與數(shù)字IC連接。

2、低失真晶體振蕩器電路圖

這是一個(gè)低失真晶體振蕩器電路。該電路生成具有低相位噪聲和失真的正弦波。該電路可用于實(shí)現(xiàn)晶體耗散小于 1mV 的晶體。晶體用于過(guò)濾信號(hào)電流。如果阻抗負(fù)載較低,JFET 將驅(qū)動(dòng)阻抗。當(dāng)負(fù)載在50歐姆左右時(shí),最好采用射極跟隨器結(jié)合降壓變壓器或匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步緩沖。

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C3的值決定了輸出電壓,如果需要較低的輸出電壓,則應(yīng)增大C3的值,而當(dāng)需要較大的輸出電壓時(shí),應(yīng)減小C3的值。如果使用泛音晶體,則應(yīng)用扼流圈代替 1K 發(fā)射極電阻。該扼流圈必須與 C2 諧振,其頻率略高于三次泛音晶體的基頻。當(dāng)使用高Q值泛音晶體時(shí),C3的值應(yīng)該較低,因?yàn)楦逹值泛音晶體的驅(qū)動(dòng)電平應(yīng)比基波晶體低得多。除此之外,輸出電平應(yīng)設(shè)置得盡可能低。

如果晶體的額定功率或電流已知,則可以測(cè)量驅(qū)動(dòng)電平。要測(cè)量驅(qū)動(dòng)電平,請(qǐng)臨時(shí)在 C3 上連接一個(gè) 100 歐姆電阻,并測(cè)量 FET 源極上的信號(hào)電平。晶體電流由V/100決定。

3、并聯(lián)型晶體振蕩器電路圖

聯(lián)型晶體振蕩器如圖所示。三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路;C3為交流旁路電容,對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路;X1為石英晶體,在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出,該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器,C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路,其選頻頻率主要由X1決定,頻率接近fp。

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電路振蕩過(guò)程:接通電源后,三極管VT導(dǎo)通,有變化Ic電流流過(guò)VT,它包含著微弱的0~∞各種頻率的信號(hào)。這些信號(hào)加到C1、C2、X1構(gòu)成的選頻電路,選頻電路從中選出f0信號(hào),在X1、C1、C2兩端有f0信號(hào)電壓,取C2兩端的f0信號(hào)電壓反饋到VT的基-射極之間進(jìn)行放大,放大后輸出信號(hào)又加到選頻電路,C1、C2兩端的信號(hào)電壓增大,C2兩端的電壓又送到VT基-射極,如此反復(fù)進(jìn)行,VT輸出的信號(hào)越來(lái)越大,而VT放大電路的放大倍數(shù)逐漸減小,當(dāng)放大電路的放大倍數(shù)與反饋電路的衰減系數(shù)相等時(shí),輸出信號(hào)幅度保持穩(wěn)定,不會(huì)再增大,該信號(hào)再送到其他的電路。

4、串聯(lián)型晶體振蕩器電路圖

串聯(lián)型晶體振蕩器如圖所示。該振蕩器采用了兩級(jí)放大電路,石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外,還具有選頻功能,其選頻頻率f0=fs,電位器RP1用來(lái)調(diào)節(jié)反饋信號(hào)的幅度。

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電路振蕩過(guò)程:接通電源后,三極管VT1、VT2導(dǎo)通,VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào),石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小,f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極,該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出,又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出,然后又通過(guò)X1反饋到VT1放大,如此反復(fù)進(jìn)行,VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來(lái)越大,VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來(lái)越小,當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí),輸出f0信號(hào)幅度不再變化,電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。

5、手表晶體振蕩器電路圖

開(kāi)發(fā)該電路的目的是允許手表晶體用于現(xiàn)有的 CMOS 振蕩器電路(該電路由 12 V 電源供電)。但有一個(gè)問(wèn)題,這些晶體只能在 6V 左右的電源電壓下工作。如果電源電壓超過(guò) 6 V,則晶體將被過(guò)度驅(qū)動(dòng),導(dǎo)致其破碎。

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通過(guò)使用 LED 1 和 2 以及 470nF 電容器 (C3) 將晶體驅(qū)動(dòng)限制在約 4V 峰峰值,可以使用該電路解決該問(wèn)題。請(qǐng)注意,為了確保某些晶體的可靠啟動(dòng)和穩(wěn)定振蕩,可能需要調(diào)整 C1 和 C2。但是,應(yīng)保持 C1:C2 比例。另外,兩個(gè) LED 燈都會(huì)發(fā)光,以視覺(jué)方式指示振蕩器正在工作。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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